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결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	작동 작동	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC1123BI1-062.5000T	-	RFQ	5543	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123				62.5 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
VCC1-B3B-29M5000000	-	RFQ	8977	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC400-0404Q0020KE1T	-	RFQ	9034	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm					125MHz	100MHz	-	-
DSA1124DL1-100.0000VAO	-	RFQ	6694	마이크로 마이크로 기술	DSA1124	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1124				100MHz			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1124DL1-100.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			42MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6011JI2A-004.0000	-	RFQ	4283	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					4 MHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DE2-148.5000	-	RFQ	3972	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				148.5 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			8.7ma				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
MX555ABBB550M0000-TR	-	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABB50				50MHz			LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			90ma				결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001AI3-100.0000	-	RFQ	5921	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1001				100MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			16.6MA				MEMS	-	± 20ppm	-	15µA
DSC-Prog-8123-2520	50.0000	RFQ	7	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	상자	sic에서 중단되었습니다										-	소켓 소켓	발진기			-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4750	귀 99	8541.60.0080	1						4	2.50mm x 2.00mm x 0.90mm													-
vxm8-1ge-06-40m0000000tr	-	RFQ	1029	마이크로 마이크로 기술	vxm8	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈					40MHz	근본적인				-			영향을받지 영향을받지	150-vxm8-1ge-06-40m0000000tr	귀 99	8541.60.0060	3,000			6pf						± 30ppm				± 20ppm
dsc6101mi2a 프로그램 가능	-	RFQ	3204	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		3MA (유형)				MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC2043FI1-F0058	-	RFQ	6118	마이크로 마이크로 기술	DSC2043	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)								HCSL, LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2043FI1-F0058	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			76MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm			23 MA		156.25MHz	125MHz, 156.25MHz	-	-
DSC1212NI1-C0027T	-	RFQ	5175	마이크로 마이크로 기술	DSC12X2	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)			6-vdfn	xo (표준)								lvpecl	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1212NI1-C0027TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			50MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm					-	-	-	-
DSC6021CI2A -00EKT	-	RFQ	1617	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					48MHz, 50MHz	-	-	-
DSC1001DI2-009.6000	-	RFQ	1727	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				9.6 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001AI1-032.7680	-	RFQ	9416	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001				32.768 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			7.1ma				MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC2033FL2-F0004T	-	RFQ	5470	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)								LVD	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2033FL2-F0004TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			38MA (유형)	0.037 "(0.95mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA		100MHz	150MHz	-	-
VCC1-B3A-24M0000000	-	RFQ	4172	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC400-0401Q0103KI2	-	RFQ	4287	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					12.288MHz	100MHz	-	-
DSC6001CI2A-049.5000	-	RFQ	5648	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					49.5MHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC1-B3B-75M0000000	-	RFQ	6948	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC612RE2A-01MRT	-	RFQ	9220	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC612RE2A-01MRTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm			3 MA		38.4MHz	32.768kHz	-	-
DSA6003MI2B-032K768TVAO	-	RFQ	8329	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)					32.768 kHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6003MI2B-032K768TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC400-0244Q0009KI1T	-	RFQ	6858	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL, LVPECL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm					100MHz	100MHz	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²