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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
dsc6111mi1a-000.0000t	0.9000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC2033FI2-G0007	-	RFQ	6808	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		200MHz, 210MHz, 220MHz, 230MHz, 240MHz, 250MHz, 260MHz, 270MHz	150MHz, 157.5MHz, 165MHz, 172.5MHz, 180MHz, 187.5MHz, 195MHz, 202.5MHz	-	-
DSC6331JI1BB-024.0000T	-	RFQ	4729	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI1BB-024.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
VT-706-EFE-2070-20M0000000	-	RFQ	1151	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC8003CI2	-	RFQ	5676	마이크로 마이크로 기술	DSC8003	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8003			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		15MA		MEMS	± 25ppm		-							1MHz ~ 150MHz	-
DSC400-3333Q0078KE1	-	RFQ	8193	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					125MHz	125MHz	125MHz	125MHz
DSC1001DL5-032.4000	-	RFQ	7681	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		32.4 MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DL5-032.4000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC8121CM5T	-	RFQ	8076	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	± 10ppm		-	22 MA						10MHz ~ 170MHz	-
DSC1101CI2-060.0000	-	RFQ	2874	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	60MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC8101BI5	4.2600	RFQ	318	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8101			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4685	귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	-		-							10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
dsc6111ci1a-000.0000t	-	RFQ	3189	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
VXM7-1KE-16-33M0000000TR	-	RFQ	2860	마이크로 마이크로 기술	vxm7	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		33MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXM7-1KE-16-33M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	3,000			16pf				± 50ppm				± 20ppm
VXN1-1EE-09-32M0000000TR	-	RFQ	1451	마이크로 마이크로 기술	vxn1	테이프 & tr (TR)	활동적인	100 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		32 MHz	근본적인			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXN1-1EE-09-32M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	3,000			9pf				± 20ppm				± 20ppm
DSC6102MI3B-080.0000	-	RFQ	4127	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		80MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6102MI3B-080.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	1.5µA
DSC1001DE5-012.0000T	-	RFQ	3710	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6331JE1CB-024.0000T	-	RFQ	1114	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6331	24 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
DSC1033CI2-012.5000T	-	RFQ	8201	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	12.5MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			10MA		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1123CI5-026.5625T	-	RFQ	4759	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	26.5625 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1001CI2-052.0000T	-	RFQ	5181	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	52MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1122AE2-156.2500	2.4840	RFQ	7893	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1122	156.25 MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4620	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화			58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6111JE1B-054.0000	0.8400	RFQ	4260	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		54 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JE1B-054.0000			140	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VC-709-EDE-FAAN-148M350000	-	RFQ	5669	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		148.35 MHz		LVD	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-709-EDE-FAAN-148M350000TR	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			45MA		결정	± 25ppm	-	-	-
DSC1001001DC2-025.0000T	-	RFQ	2263	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC8001BL5	2.1700	RFQ	9118	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4660	귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		12.2MA		MEMS	-		-	15 µA						1MHz ~ 150MHz	± 10ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²