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 | vxm8-1ge-06-40m0000000tr | - | | 1029 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 40MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-vxm8-1ge-06-40m0000000tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 6pf | ± 30ppm | ± 20ppm | |||||||||||||||||||||||||||
| DSC1001DE2-148.5000 | - | | 3972 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 148.5 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||||||||||||
| DSC1001AI3-100.0000 | - | | 5921 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1001 | 100MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | - | ± 20ppm | - | 15µA | |||||||||||||||||||||
 | DSC6001CI2A-049.5000 | - | | 5648 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.5MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| DSC612RE2A-01MRT | - | | 9220 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC612 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612RE2A-01MRTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 3 MA | 38.4MHz | 32.768kHz | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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