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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
VC-806-ECE-FABN-125M000000	-	RFQ	6831	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6013HI3B-409K600T	-	RFQ	6418	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6013				409.6 kHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6013HI3B-409K600TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)			MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC400-1111Q0111KE2	-	RFQ	2535	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				25MHz	20MHz	24MHz	-
DSC1001CE1-033.8688T	1.3800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				33.8688 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6112JI2A-028.1250	-	RFQ	9022	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					28.125 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수			150-DSC6112JI2A-028.1250	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC400-1111Q0090KE2T	-	RFQ	8450	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				10MHz	27MHz	148.5MHz	125MHz
DSC1001DI5-002.4576T	-	RFQ	9065	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				2.4576 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6021MI1A-0050	0.9900	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 50ppm				24MHz, 27MHz	-	-	-
DSC1121CI5-016.0000T	-	RFQ	4742	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121				16MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA			MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
VC-709-HDE-FAAN-125M000000	-	RFQ	7096	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					125MHz		LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화		14ma			결정	± 25ppm	-	-	-
DSC6011MI2A-000.0000T	1.5700	RFQ	988	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)			MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
dsc6013hi1a 프로그래밍 가능	-	RFQ	5395	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)			MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1103BE1-075.0000	-	RFQ	9701	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103				75MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		32MA			MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSA2043FI1-F0014TVAO	-	RFQ	3237	마이크로 마이크로 기술	DSA20XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)							HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA2043FI1-F0014TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		49ma (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	100MHz	-	-
DSC2033FI2-F0038	-	RFQ	3001	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 439.597MHz, 440.625MHz, 450.68MHz	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 439.597MHz, 440.625MHz, 450.68MHz	-	-
DSC-Prog-3225	63.2000	RFQ	7	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	대부분	활동적인								DSC 프로그램	빈 빈 (10)	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1					-												-
DSC2033FI1-F0025T	-	RFQ	3058	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	50MHz	-	-
dsc8102ai2 프로그램 가능	24.2700	RFQ	6913	마이크로 마이크로 기술	DSC8102	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)							lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4693 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	58ma			MEMS	-		-	95 µA					10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC400-33333Q0078KE1T	-	RFQ	2907	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				125MHz	125MHz	125MHz	125MHz
DSC1103CE1-200.0000T	2.8700	RFQ	7766	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103				200MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA			MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
CD-700-KAF-GAB-50M0000000	-	RFQ	9884	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는																다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	200
DSC400-1122Q0036KI1T	-	RFQ	1828	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVPECL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	25MHz	50MHz
DSC613RI3A-012W	-	RFQ	6065	마이크로 마이크로 기술	DSC613	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613						LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 20ppm			1.5 µA	16MHz	16MHz	16MHz	-
VCC1-B3C-127M000000	-	RFQ	5300	마이크로 마이크로 기술	VCC1	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					127 MHz		CMOS	3.3v	다운로드					귀 99	8541.60.0080	100	활성화/비활성화		50ma			결정	± 100ppm	-	-	30µA
DSC8104DI5	-	RFQ	3953	마이크로 마이크로 기술	DSC8104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8104						HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4711	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA			MEMS	-		-						10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
MX573EBC125M000	-	RFQ	1147	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX573				125MHz		LVCMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화		95MA			결정	± 50ppm	-	-	-
DSC400-4444Q0023KI1T	-	RFQ	1282	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	-	-
DSC1001DL1-037.1250	1.2500	RFQ	675	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				37.125 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		16.6MA			MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	15µA
VT-501-AEAIK-206B-10M0000000	-	RFQ	6083	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6021CI2A-009UT	0.8800	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				40MHz, 80MHz	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²