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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC8104DI5	-	RFQ	3953	마이크로 마이크로 기술	DSC8104	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8104			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4711	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		42MA		MEMS	-		-							10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC1101CI2-133.0000	-	RFQ	5045	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	133 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI2-148.5000	-	RFQ	2476	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	148.5 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			16.6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6001JL2B-027.0000	0.8880	RFQ	2695	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	활동적인		-	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	27 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6021CE2A-0075	-	RFQ	6548	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					8MHz, 16MHz	-	-	-
VCC1-E3C-48M0000000	-	RFQ	1669	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		48MHz		CMOS	5V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-E3C-48M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			30ma		결정	± 100ppm	-	-	30µA
DSC1001BE2-010.0000	0.9300	RFQ	3577	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	10MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VXB2-1D4-6M00000000	-	RFQ	6982	마이크로 마이크로 기술	VXB2	테이프 & tr (TR)	활동적인	80 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm)	0.173 "(4.40mm)	표면 표면	HC-49/US	MHZ 크리스탈		6MHz	근본적인			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXB2-1D4-6M000000TTR	귀 99	8541.60.0050	1			18pf				± 50ppm				± 20ppm
DSC400-0444Q0009KI1	-	RFQ	3006	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					100MHz	100MHz	100MHz	-
DSC1001CE1-019.2000T	-	RFQ	4352	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	19.2 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6102JI1A-033.3333T	-	RFQ	4772	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.3333 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
MO-9000AE-6F-ES-16M0000000	-	RFQ	7564	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VCB1-E1C-64M0000000	-	RFQ	1808	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1033CI1-014.3181T	-	RFQ	6604	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.3181 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1101CI2-030.0000T	-	RFQ	2999	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	30MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6023MI2A-00A5T	-	RFQ	1883	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					25MHz, 50MHz	-	-	-
DSC1223DI1-50M00000	-	RFQ	2210	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		50MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1223DI1-50M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			32MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC2110FI2-A0008	-	RFQ	2494	마이크로 마이크로 기술	DSC2110	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2110			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			23MA	0.037 "(0.95mm)	MEMS	± 25ppm					25MHz, 50MHz	-	-	-
dsc6111ci2a-000.0000t	-	RFQ	5681	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA		MEMS	-		-	10.5 µA						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC1003CI2-010.0000T	-	RFQ	1375	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	10MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6101ME2B-002.5000	-	RFQ	2632	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		2.5MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101ME2B-002.5000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VXB2-1B1-12M0000000	-	RFQ	5969	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
DSC6001CI2A-049.5000	-	RFQ	5648	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		49.5MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001AI2-010.0000	1.0000	RFQ	1610	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	10MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1203BI2-270M0000	-	RFQ	4760	마이크로 마이크로 기술	DSC1203	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		270 MHz		LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1203BI2-270M0000	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			32MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
VT-820-EFH-507B-24M0000000	-	RFQ	5145	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VXD1-3DJ-06-69M5450000	-	RFQ	6917	마이크로 마이크로 기술	VXD1	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.311 "LX 0.126"W (7.90mm x 3.20mm)	0.319 "(8.10mm)	구멍을 구멍을	UM-1	MHZ 크리스탈		69.545 MHz	세 세 오버 번째			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXD1-3DJ-06-69M5450000TR	귀 99	8541.60.0060	100			6pf				± 15ppm				± 10ppm
DSC1121DM1-033.3333	1.4280	RFQ	6225	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	33.3333 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSA1001DL2-030.00000000TVAO	-	RFQ	4501	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	30MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			10.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC1-B3B-106M250000	-	RFQ	6973	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²