SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC8101CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8101ci2 프로그램 가능 11.3600
RFQ
ECAD 2904 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4689 프로그램 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSC1104BI1-027.0000T Microchip Technology DSC1104BI1-027.0000T -
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1104 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1104BI1-027.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6011CE2A-045.1584T Microchip Technology DSC6011CE2A-045.1584T -
RFQ
ECAD 3479 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 45.1584 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VTC4-A31C-10M0000000 Microchip Technology VTC4-A31C-10M0000000 -
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC610PA3A-PROG Microchip Technology dsc610pa3a 프로그램 -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 활동적인 DSC610 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 MEMS
DSC400-1111Q0084KE1 Microchip Technology DSC400-1111Q0084KE1 -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 33.3333MHz 50MHz 125MHz 100MHz
DSC1001AL5-024.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-024.0000 2.8000
RFQ
ECAD 5194 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1123CE1-156.2500 Microchip Technology DSC1123CE1-156.2500 2.9000
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4644 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VXM9-9007-62M5000000TR Microchip Technology vxm9-9007-62m5000000tr 1.0900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM9 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 VXM9-9007 62.5 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC1001DI2-070.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-070.0000T -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 70MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-070.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2311KE1-R0009T Microchip Technology DSC2311KE1-R0009T -
RFQ
ECAD 6669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 25MHz - -
DSC2211FL2-E0016 Microchip Technology DSC2211FL2-E0016 -
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2211 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2211 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 80MHz, 100MHz 25MHz, 80MHz
DSC6001MI2A-050.0000 Microchip Technology DSC6001MI2A-050.0000 -
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001MI2A-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC8121CL2 Microchip Technology DSC8121CL2 -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4719 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
VTC4-B3CD-25M0000000 Microchip Technology VTC4-B3CD-25M0000000 -
RFQ
ECAD 5523 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI2-045.1584T Microchip Technology DSC1001DI2-045.1584T -
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 45.1584 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.9ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1203CI2-148M5000T Microchip Technology DSC1203CI2-148M5000T -
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI2-148M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1001AE1-131.0720T Microchip Technology DSC1001AE1-131.0720T -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 131.072 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1004CI1-016.0000T Microchip Technology DSC1004CI1-016.0000T -
RFQ
ECAD 7548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CI1-016.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DI3-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI3-024.00000000TVAO -
RFQ
ECAD 7352 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI3-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1001DI5-005.0196T Microchip Technology DSC1001DI5-005.0196T -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 5.0196 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6001CE1A-016.0000T Microchip Technology DSC6001CE1A-016.0000T -
RFQ
ECAD 2718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6001JA2B-025.0000T Microchip Technology DSC6001JA2B-025.0000T -
RFQ
ECAD 9497 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JA2B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-B3C-22M1184000 Microchip Technology VCC1-B3C-22M1184000 -
RFQ
ECAD 4167 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6023HE3B-015D Microchip Technology DSC6023HE3B-015D -
RFQ
ECAD 5508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6023 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 31.9936MHz, 32.0064MHz - - -
VC-820-EAC-KAAN-50M0000000_SNPB Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-50M0000000_SNPB -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAC-KAAN-50M0000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 9MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
VPC1-B1E-33M3330000 Microchip Technology VPC1-B1E-33M3330000 -
RFQ
ECAD 1781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
HTM6101JL1B-024.0000T Microchip Technology HTM6101JL1B-024.0000T -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JL1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6331JI1DB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI1DB-025.0000 -
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI1DB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
VC-711-ECE-KAAN-160M000000 Microchip Technology VC-711-ECE-KAAN-160M000000 -
RFQ
ECAD 8214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고