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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC6111HI1B-033.3330T	1.0440	RFQ	9078	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		33.333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111HI1B-033.3330TTR			1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001DI1-033.0000	0.8700	RFQ	5420	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1123BL2-250.0000T	-	RFQ	7961	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		250MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123BL2-250.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1522JL3A-125M0000	-	RFQ	3085	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		125MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1522JL3A-125M0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		7.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC8121BI5T	-	RFQ	3775	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8121		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	± 10ppm		-	22 MA					10MHz ~ 100MHz	-
HTM6101JA2B-033.3333	-	RFQ	9357	마이크로 마이크로 기술	htm61xx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-HTM6101JA2B-033.3333	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		4MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC400-33333Q0093KE1	-	RFQ	8016	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				80MHz	80MHz	80MHz	80MHz
VCC1-B3B-73M7280000	-	RFQ	3291	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1103DI2-312.5000T	-	RFQ	4796	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	312.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC1121CL5-080.0000	-	RFQ	6878	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	80MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSA6003JI2B-032K768TVAO	-	RFQ	8261	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6003JI2B-032K768TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1124BI1-027.0000T	-	RFQ	5782	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	27 MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		42MA		MEMS	-	± 50ppm	-	22MA
dsc6013je2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	1881	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1103CI3-175.0000T	-	RFQ	3364	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	175 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	-	± 20ppm	-	95µA
DSC1001DL1-025.0000	0.9300	RFQ	9095	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC8103AI2T	-	RFQ	6616	마이크로 마이크로 기술	DSC8103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8103		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	32MA		MEMS	± 25ppm		-	95 µA					10MHz ~ 460 MHz	-
DSC2031FE1-J0001	-	RFQ	2877	마이크로 마이크로 기술	DSC2031	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2031		CMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		49ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	74.25MHz, 100MHz, 125MHz, 148.25MHz, 150MHz, 156.25MHz	25MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz
DSC6083JI2A-032K678T	-	RFQ	1107	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1123BI2-212.5000T	-	RFQ	8305	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	212.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001BI5-018.4320T	-	RFQ	1441	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1103CE2-020.0000T	-	RFQ	5744	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		20MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CE2-020.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001DL5-087.0655	-	RFQ	3789	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	87.0655 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		8.7ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1121CI2-055.0000	-	RFQ	4102	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		55MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121CI2-055.0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DL2-066.0000T	-	RFQ	4511	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	66MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.1ma		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI1-133.0000	-	RFQ	3609	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	133 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		16.6MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSA6111JI2B-032K768TVAO	-	RFQ	4359	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6111	32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6111JI2B-032K768TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1123DI1-333.3300	-	RFQ	5426	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		333.33 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DI1-333.3300	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
VT-802-EAE-2560-20M0000000TR	-	RFQ	9361	마이크로 마이크로 기술	VT-802	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		20MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VT-802-EAE-2560-20M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화		5MA		결정	± 2.5ppm	-	-	-
DSC6011CI2A-018.0000	1.0700	RFQ	374	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		18 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
MO-9000AE-7F-EE-30M0000000	-	RFQ	4418	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²