RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC8121AM2	4.3200	RFQ	21	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.014 "(0.35mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8121		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	± 25ppm		-	22 MA					10MHz ~ 170MHz	-
DSC1121CL1-028.6364	-	RFQ	8565	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	28.6364 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		22MA		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1001CL2-025.5760	-	RFQ	7892	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25.576 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001BE1-040.0000T	-	RFQ	2175	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC400-0101Q0083KE1T	-	RFQ	5244	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				45.1584MHz	-	49.152MHz	-
DSC1253BL3-94M00000	-	RFQ	5100	마이크로 마이크로 기술	DSC1200	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		94 MHz	LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1253BL3-94M00000	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		32MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC6011JI1B-025.0000T	-	RFQ	2294	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6011	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	-	± 50ppm	-	-
DSC1001DI5-050.0000	2.4400	RFQ	1695	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VC-823-EAC-KAAN-16M0000000	-	RFQ	5924	마이크로 마이크로 기술	VC-823	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	-	-	-	-	-		16MHz	-	-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-823-EAC-KAAN-16M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-		-		결정	-	-	-	-
DSC6111CI1A-008.0000T	-	RFQ	1887	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	12µA
VCA1-A0A-6M14400000	-	RFQ	3201	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSA6013JI1B-300K000TVAO	-	RFQ	9058	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		300 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6013JI1B-300K000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6101JE1A-033.3333	-	RFQ	8592	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VDUGLD-34M3680000	-	RFQ	2812	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
DSC1001BI1-004.0000T	-	RFQ	8106	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	4 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DI2-033.3333B	-	RFQ	6598	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA6101ML2B-025.000000TVAO	-	RFQ	2952	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA6101ML2B-025.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
dsc6101mi2a 프로그램 가능	-	RFQ	3204	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6101JE1B-033.0000T	-	RFQ	3556	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		33MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JE1B-033.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC8001AI5	2.9300	RFQ	550	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4656	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
DSC400-3331Q0098KI1T	-	RFQ	8389	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				12MHz	50MHz	50MHz	50MHz
DSC400-033333Q0040KI2	-	RFQ	1692	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2266-DSC400-033333Q0040KI2	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				25MHz	25MHz	25MHz	-
VCC6-VCD-100M000000	-	RFQ	7828	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6111HI2B-004K000	-	RFQ	2083	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6111	4 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-840-EAE-FAAN-13M3000000	-	RFQ	7397	마이크로 마이크로 기술	VC-840	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		13.3 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-EAE-FAAN-13M3000000	귀 99	8541.60.0080	100	활성화/비활성화		7ma		결정	± 25ppm	-	-	10µA
DSC1001CI2-012.0000B	-	RFQ	3634	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC8121DL5T	-	RFQ	1257	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	± 10ppm		-	22 MA					10MHz ~ 170MHz	-
DSC1001CI1-040.0000T	-	RFQ	3649	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10.5MA		MEMS	-	± 50ppm	-	15µA
DSC6183CI2A-007K629T	-	RFQ	5054	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		7.629 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6011ME1B-032K768T	-	RFQ	6867	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011ME1B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²