SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 포함 액세서리 액세서리 /함께 함께 제품과 사용합니다 빈도 작동 작동 명세서 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 패키지가 패키지가 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성) 온도
DSC1001AL5-010.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-010.0000 -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VC-840-JAE-KAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VXM7-1D4-30M0000000 Microchip Technology VXM7-1D4-30M0000000 -
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000
DSC6102JL1B-088.0000 Microchip Technology DSC6102JL1B-088.0000 -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 88MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JL1B-088.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VPC1-B1C-18M4320000 Microchip Technology VPC1-B1C-18M4320000 -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123NI2-200.0000T Microchip Technology DSC1123NI2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
VV-701-EAE-KKAB-10M0000000 Microchip Technology VV-701-EAE-KKAB-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1121DA2-027.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA2-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC-PROG-5032 Microchip Technology DSC-Prog-5032 63.2000
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Timeflash 대부분 활동적인 DSC 프로그램 빈 빈 (10) 소켓 소켓 발진기 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1180 1 - -
MO-9000AE-6K-ES-19M2000000 Microchip Technology MO-9000AE-6K-ES-19M2000000 -
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6183HE2A-640K000 Microchip Technology DSC6183HE2A-640K000 -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 640 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DL1-080.0000 Microchip Technology DSC1001DL1-080.0000 1.0800
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCUGCA-60M0000000 Microchip Technology VCUGCA-60M0000000 -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC6011ME1A-080.0000 Microchip Technology DSC6011ME1A-080.0000 -
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101HI2B-010.0000T Microchip Technology DSC6101HI2B-010.0000T -
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HI2B-010.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101JI1B-080.0000 Microchip Technology DSC6101JI1B-080.0000 -
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI1B-080.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1003CI5-025.0000T Microchip Technology DSC1003CI5-025.0000T -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC8121CL2 Microchip Technology DSC8121CL2 -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4719 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSA1001DI1-050.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-050.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-050.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121CE5-048.0000T Microchip Technology DSC1121CE5-048.0000T -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CE5-048.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - 35MA
VV-701-EAE-KNAE-14M6285710 Microchip Technology VV-701-EAE-KNAE-14M6285710 -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1223NI1-148M5000T Microchip Technology DSC1223NI1-148M5000T -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-148M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC6331CI1CA-024.0000 Microchip Technology DSC6331CI1CA-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 80µA (타이핑)
VCC6-QCE-125M000000 Microchip Technology VCC6-QCE-125M000000 -
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6001CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6001ci1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6013HI3B-064.0128T Microchip Technology DSC6013HI3B-064.0128T -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6013 64.0128 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013HI3B-064.0128TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1030BI1-025.0000T Microchip Technology DSC1030BI1-025.0000T -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001CI1-008.1920 Microchip Technology DSC1001CI1-008.1920 -
RFQ
 ECAD 4190 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 8.192 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-008.1920 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VXB1-1C2-4M00000000 Microchip Technology VXB1-1C2-4M00000000 -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 140 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.126 "(3.20mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 4 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXB1-1C2-4M00000000TR 귀 99 8541.60.0030 1,000 20pf ± 100ppm ± 20ppm
DSC1123CI1-027.0000T Microchip Technology DSC1123CI1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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