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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6101JI1A-027.0000T Microchip Technology DSC6101JI1A-027.0000T -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1003DL1-050.0000 Microchip Technology DSC1003DL1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003DL1-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6001JI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121BL5-110.5400T Microchip Technology DSC1121BL5-110.5400T -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 110.54 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001CL5-125.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-125.0000 -
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6331HI2AB-025.0000VAO Microchip Technology DSA6331HI2AB-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6139 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331HI2AB-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1001DL2-024.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-024.0000T 1.2900
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DE1-075.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-075.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 75MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1102CI1-156.2500 Microchip Technology DSC1102CI1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6111CI2A-000.0000T Microchip Technology dsc6111ci2a-000.0000t -
RFQ
 ECAD 5681 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA MEMS - - 10.5 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1001DI5-031.2500T Microchip Technology DSC1001DI5-031.2500T -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 31.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033BC1-026.0000T Microchip Technology DSC1033BC1-026.0000T -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001CL1-100.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 2481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1124AL2-100.0000T Microchip Technology DSC1124AL2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC2041FE1-F0014 Microchip Technology DSC2041FE1-F0014 -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2041 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2041 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 23MA 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 50ppm 100MHz 100MHz - -
DSC6101JA1B-020.0000 Microchip Technology DSC6101JA1B-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA1B-020.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121CM1-027.0000T Microchip Technology DSC1121CM1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6001MI2A-033.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-033.0000T -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122AE1-005.0000T Microchip Technology DSC1122AE1-005.0000T -
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1122 5 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS - ± 50ppm - 22MA
DSC1121AI2-200.0000 Microchip Technology DSC1121AI2-200.0000 -
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 200MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VXM5-9005-25M0000000 Microchip Technology VXM5-9005-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM5 조각 활동적인 30 옴 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 - - ± 20ppm
DSC8004BI2 Microchip Technology DSC8004BI2 -
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8004 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4679 귀 99 8542.39.0001 72 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 16.6MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 25ppm
DSC1124DL3-125.0000T Microchip Technology DSC1124DL3-125.0000T -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124DL3-125.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
CD-700-LAC-NCB-19M4400000 Microchip Technology CD-700-LAC-NCB-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1121NE2-025.0000T Microchip Technology DSC1121NE2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VCC1-B3E-19M4400000 Microchip Technology VCC1-B3E-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6001JI2A-027.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-027.0000 -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCE1-E3C-40M0000000 Microchip Technology VCE1-E3C-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-711-EDE-KAAN-10M0000000TR Microchip Technology VC-711-ED-KAAN-10M0000000TR -
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-vc-711-ede-kaan-10m0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
VC-714-0003-200M0000000TR Microchip Technology VC-714-0003-200M0000000TR -
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 150-VC-714-0003-200M0000000TR 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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