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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	작동 작동	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC-Prog-8103-7050	-	RFQ	1367	마이크로 마이크로 기술	DSC8103	상자	sic에서 중단되었습니다										-	소켓 소켓	발진기			-			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1						6	-													-
VT-841-JFE-206A-40M0000000	-	RFQ	4912	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6111CI1B-050.0000	0.8760	RFQ	6601	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)					50MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111CI1B-050.0000			110	대기 (다운 전원)			3MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001AE1-003.6864	1.2200	RFQ	45	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				3.6864 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1123BM1-166.0000T	-	RFQ	6744	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123				166 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA				MEMS	-	± 50ppm	-	22MA
DSC1001BI2-008.0000T	-	RFQ	2696	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				8 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1101111DM5-020.0000	-	RFQ	1907	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)					20MHz			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			35MA				MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
MX555ABA300M000-TR	-	RFQ	2754	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABA300M000				300MHz			lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			120ma				결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6101JI2B-040K000T	-	RFQ	7119	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6101				40 kHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JI2B-040K000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103CL5-026.0000T	-	RFQ	2074	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)					26 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA				MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6001MI2A-027.1200T	-	RFQ	5721	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)					27.12 MHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1204NL3-122M8800T	-	RFQ	1471	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1204				122.88 MHz			HCSL	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1204NL3-122M8800T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			40ma (유형)				MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC6311JE1CB-018.4320T	-	RFQ	5219	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					18.432 MHz			LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JE1CB-018.4320TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	1.5µA (()
DSC400-0404Q0058KE2T	-	RFQ	5120	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					100MHz	-	100MHz	-
DSC6001JI2A-025.0000T	-	RFQ	9479	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					25MHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DL5-012.2880	2.6400	RFQ	1558	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				12.288 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.5MA				MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1001CL2-030.0000T	-	RFQ	9814	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				30MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1101AI2-156.2500T	-	RFQ	2673	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101				156.25 MHz			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			95µA				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DC5-045.1584T	-	RFQ	7320	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				45.1584 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA				MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1522JI3A-50M00000	-	RFQ	2510	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					50MHz			LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1522JI3A-50M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			7.5MA				MEMS	± 20ppm	-	-	-
VXA4-1B2-20M0000000	-	RFQ	8215	마이크로 마이크로 기술	VXA4	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm)	0.138 "(3.50mm)	구멍을 구멍을	HC-49/u	MHZ 크리스탈					20MHz	근본적인				-			영향을받지 영향을받지	150-VXA4-1B2-20M0000000TR	귀 99	8541.60.0050	1,000			20pf						± 50ppm				± 10ppm
DSC1033CI1-080.0000	-	RFQ	4200	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					80MHz			CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			5MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1101NI5-012.8000	-	RFQ	9545	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101				12.8 MHz			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			35MA				MEMS	± 10ppm	-	-	-
VC-708-EDE-FNXN-155M980800	-	RFQ	3308	마이크로 마이크로 기술	VC-708	조각	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					155.9808 MHz			LVD	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-708-EDE-FNXN-155M980800	귀 99	8542.39.0001	100	-			48MA				결정	± 25ppm	-	-	-
VT-860A-0001-49M1520000TR	-	RFQ	1837	마이크로 마이크로 기술	VT-860	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO					49.152 MHz			사인파를 사인파를	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-VT-860A-0001-49M1520000TR	귀 99	8542.39.0001	21,000	-			2.3ma				결정	-	-	-	-
MX555ABB850M000	-	RFQ	8492	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABB850M000				850MHz			LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화			90ma				결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1103CL2-233.3333	-	RFQ	1040	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103				233.3333 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			32MA				MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
VC-708-EDE-FNXN-157M326900	-	RFQ	2800	마이크로 마이크로 기술	VC-708	조각	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					157.3269 MHz			LVD	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-708-EDE-FNXN-157M326900	귀 99	8542.39.0001	100	-			48MA				결정	± 25ppm	-	-	-
DSC8002CI2T	-	RFQ	2090	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8002							CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		10MA				MEMS	± 25ppm		-	15 µA						1MHz ~ 150MHz	-
M921223CL1-100M0000	-	RFQ	9522	마이크로 마이크로 기술	M9212X3	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)					100MHz			LVD	2.5V, 3.3V	다운로드				150-M921223CL1-100M0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²