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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VXA4-100-10M2450000 | - |  | 3363 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXA4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 50 옴 | - | - | 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) | 0.138 "(3.50mm) | 구멍을 구멍을 | HC-49/u | MHZ 크리스탈 | 10.245 MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXA4-100-10M2450000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 1,000 | 시리즈 | - | ± 10ppm | ||||||||||||||||
 | VCC1-1574-16M0000000_SNPB | - | | 9090 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-1574-16M0000000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | - | 결정 | - | - | - | 30µA | |||||||||||||
| VCC1-B3K-49M1520000 | - | | 3919 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.152 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3K-49M1520000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 32ppm | - | - | 30µA | |||||||||||||
| VCC1-B3F-25M0000000_SNPB | - | | 8238 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3F-25M0000000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | |||||||||||||
 | VT-501-EAE-2560-10M0000000TR | - | | 5076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-501 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) | 0.087 "(2.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 10MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-501-EAE-2560-10M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 15MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | - | ||||||||||||
 | VXM7-1SE-6-16M0000000 | - | | 3083 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 80 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 16MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-1SE-6-16M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 50,000 | 6pf | ± 100ppm | ± 20ppm | ||||||||||||||||
| DSA6111JL2B-027.0000V05 | - | | 9049 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6111JL2B-027.0000V05 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||||||
| DSC6011JA1B-040.0000T | - | | 4195 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JA1B-040.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||||||||
 | DSC1222DL3-156M2500T | - | | 6241 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222DL3-156M2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | ||||||||||||
 | DSC1001CI2-024.9600T | - | | 4284 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24.96 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI2-024.9600TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
| DSC6011JI1B-024.0000T | - | | 7848 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI1B-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||||||||
 | DSC1101AI1-025.0000T | - | | 6174 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101AI1-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||||||||||||
| DSC1001BL2-012.5000 | - | | 4307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 12.5MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BL2-012.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||
| HT-MM900AC-7F-ES-47M9232000 | - | | 3756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 47.9232 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-7F-ES-47M9232000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 대기 (다운 전원) | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | ||||||||||||||
 | MO-9100AE-6F-EE-25M0000000 | - | | 9223 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | MO-9100 | 25MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MO-9100AE-6F-EE-25M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 33MA | |||||||||||
 | MO-9000AE-4E-EE-80M0000000 | - | | 9410 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | MO-9000 | 80MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MO-9000AE-4E-EE-80M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 4.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||||
 | PS-702-ECE-KAAA-483M000000 | - | | 7141 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm) | 0.084 "(2.13mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 그래서 (톱) | 483 MHz | lvpecl | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-PS-702-ECE-KAAA-483M0000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 70ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||||
| VT-803-0035-50M0000000 | - | | 1061 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 150-VT-803-0035-50M0000000TR | 쓸모없는 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DSC1001DL5-006.4000 | - | | 9932 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.4 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DL5-006.4000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||
| DSC1103DI2-156.2500T | - | | 8074 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DI2-156.2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||||||||
| DSA1223CI2-100M0000TVAO | - | | 5188 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1223CI2-100M0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | ||||||||||||
 | DSC6003JI2B-019.2000 | - | | 1009 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 19.2 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003JI2B-019.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
| DSC6122MI2B-01MQT | - | | 7979 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6122 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6122MI2B-01MQTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | - | |||||||||||||
| DSC2043FI1-F0058T | - | | 2557 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2043 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | HCSL, LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2043FI1-F0058TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 76MA (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | - | - | |||||||||||||
| DSC6111HL3B-074.2500 | - | | 3912 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 74.25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HL3B-074.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||||||
 | DSC1121AE1-006.1440 | - | | 3908 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 6.144 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AE1-006.1440 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
| DSA6152JL3B-027.0000TVAO | - | | 9538 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6152JL3B-027.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||||||
| DSA1203DL2-156M2500VAO | - | | 7569 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1203DL2-156M2500VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | ||||||||||||
| DSC612RE2A-01MRT | - | | 9220 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC612 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612RE2A-01MRTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 3 MA | 38.4MHz | 32.768kHz | - | - | ||||||||||||
| DSC1001CI1-001.5000T | - | | 8631 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 1.5MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI1-001.5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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