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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1525JI3A-50M00000 Microchip Technology DSC1525JI3A-50M00000 -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1525JI3A-50M00000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001AE5-020.0000T Microchip Technology DSC1001AE5-020.0000T -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1505AI3A-32M00000T Microchip Technology DSC1505AI3A-32M00000T -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 32 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-32M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
DSC1121AM2-066.6660T Microchip Technology DSC1121AM2-066.6660T -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 66.666 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6183HI1A-745K000T Microchip Technology DSC6183HI1A-745K000T -
RFQ
 ECAD 5241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 745 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6183HI1A-745K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-H3P-46M3200000 Microchip Technology VCC1-H3P-46M3200000 -
RFQ
 ECAD 1746 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI2-133.3330T Microchip Technology DSC1001CI2-133.3330T -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 133.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-820-EAC-KAAN-16M3840000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-16M3840000 -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1101DA3-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1101DA3-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA3-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1121BI2-048.0000T Microchip Technology DSC1121BI2-048.0000T -
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1003CI2-025.0000 Microchip Technology DSC1003CI2-025.0000 0.9200
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-007.3728 Microchip Technology DSC1001CI5-007.3728 -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC6001CI1A-016.9344 Microchip Technology DSC6001CI1A-016.9344 -
RFQ
 ECAD 1918 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.9344 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
DSC1004CI5-026.6000 Microchip Technology DSC1004CI5-026.6000 -
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 26.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CI5-026.6000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001CL5-050.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-050.0000 -
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VC-820-EAC-KAAN-66M0000000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121DM1-040.0000T Microchip Technology DSC1121DM1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
HT-MM900AC-9F-EE-60M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-9F-EE-60M0000000 -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VT-804-EAE-106C-10M0000000 Microchip Technology VT-804-EAE-106C-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1104CL1-100.0000 Microchip Technology DSC1104CL1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1104CL1-100.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VCC1-A2D-50M000000 Microchip Technology VCC1-A2D-50M000000 -
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6301CE1BA-024.0000T Microchip Technology DSC6301CE1BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSA1101DA1-033.3330VAO Microchip Technology DSA1101DA1-033.3330VAO -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 33.333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001DL2-020.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6311CI2CA-016.0000T Microchip Technology DSC6311CI2CA-016.0000T -
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6011HE1A-002.0480T Microchip Technology DSC6011HE1A-002.0480T -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 2.048 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
MX573DBC16M6666-TR Microchip Technology MX573DBC16M6666-TR -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX573DBC16M6666 16.6666 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX573DBC16M6666-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001CI5-048.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-048.0000 2.8400
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 10ppm ± 10ppm - 15µA
DSC1001CI2-014.7456 Microchip Technology DSC1001CI2-014.7456 0.9200
RFQ
 ECAD 8126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4610 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101DM2-025.0000T Microchip Technology DSC11011111DM2-025.0000T 1.9500
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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