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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
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![]() | DSA6111JL2B-024.0000VAO | - | ![]() | 7887 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSA6111 | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6111JL2B-024.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||||
![]() | DSC1203NI2-148M5000 | 2.4120 | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | - | - | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1203 | 148.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | - | 5µA | |||||||||||
![]() | DSC1001AE2-007.6800 | - | ![]() | 5922 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 7.68 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC2311KI2-R0029 | - | ![]() | 2823 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2311 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSC2311 | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 130MHz | 130MHz | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC6101MI2A-026.0000 | - | ![]() | 7905 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 가방 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC1124DE1-100.0000T | - | ![]() | 7100 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1124 | 100MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
![]() | DSC400-1133Q0079KI2 | - | ![]() | 9668 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS, LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 100MHz | 100MHz | 66.666MHz | 25MHz | |||||||||||||||
![]() | DSC6332HI2BA-012.0000 | - | ![]() | 4445 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 12MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 3MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | ± 0.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||||||
![]() | DSC1121AI2-003.6864T | - | ![]() | 7317 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 3.6864 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
![]() | DSC6111HL1B-032K768 | - | ![]() | 6392 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6111 | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HL1B-032K768 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC6102HI2B-025.0000 | - | ![]() | 2470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6102 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102HI2B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC1001BL5-064.0000T | - | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 64 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.9ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1201DI3-32M00000T | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 32 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201DI3-32M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | ||||||||||||
![]() | DSC6083JI1A-032K768T | - | ![]() | 1636 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||||
![]() | DSC1003BI1-008.0000T | - | ![]() | 1469 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 8 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||
![]() | DSC6003JI2A-048.0000T | - | ![]() | 3733 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 48MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC2010FI2-B0005 | - | ![]() | 3142 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2010 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2010 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 35MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 24MHz, 27MHz, 74.25MHz, 148.5MHz | - | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC6011JE2A-008.0000T | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||||
![]() | DSC10333BC2-024.5760T | - | ![]() | 4967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1033 | 24.576 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | |||||||||||
![]() | DSC1001DI2-070.0000 | - | ![]() | 1038 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 70MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI2-070.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1103BI2-050.0000 | - | ![]() | 9625 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 50MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
![]() | VC-840-EAE-KAAN-24M0000000TR | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-EAE-KAAN-24M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 13MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | |||||||||||||
![]() | DSC6083CI1A-350K000 | 1.0100 | ![]() | 990 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 350 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | - | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | ± 50ppm | - | - | ||||||||||||
![]() | DSA400-333333Q0171KI2VAO | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0171KI2VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | ||||||||||||
![]() | DSA1004DL2-072.00000000TVAO | - | ![]() | 7468 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1004 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1004 | 72 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1102NI5-200.0000 | - | ![]() | 8987 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1102 | 200MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1102NI5-200.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||||||||||
![]() | VCC1-B3P-1220M000000 | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VXM7-1EJ-12-24M0000000 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001DI2-048.0000T | 0.9100 | ![]() | 6507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 48MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | VXM8-1071-45M0000000 | - | ![]() | 8737 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 | - | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 45MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM8-1071-45M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | - | ± 20ppm |
일일 평균 RFQ 볼륨
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