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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6332JI3FB-050.0000 Microchip Technology DSC6332JI3FB-050.0000 -
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6332JI3FB-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC6111JI3B-019.2000 Microchip Technology DSC6111JI3B-019.2000 -
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI3B-019.2000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA
DSA1123DL1-100.0000VAO Microchip Technology DSA1123DL1-100.0000VAO -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) DSA1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DL1-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6011MI3B-032.0000 Microchip Technology DSC6011MI3B-032.0000 -
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI3B-032.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA
DSC6301JI1IB-050.0000 Microchip Technology DSC6301JI1IB-050.0000 -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI1IB-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -1.00%, 00 확산 -
DSC1223BI1-200.0000T Microchip Technology DSC1223BI1-200.0000T -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI1-200.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC2033FL2-F0004T Microchip Technology DSC2033FL2-F0004T -
RFQ
ECAD 5470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FL2-F0004TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz 150MHz - -
DSC6101JI2B-019.2000 Microchip Technology DSC6101JI2B-019.2000 -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-019.2000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011JI2B-018.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-018.0000 -
RFQ
ECAD 6057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-018.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1101DL3-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1101111DL3-020.00000000TVAO -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DL3-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1103BL5-026.8800 Microchip Technology DSC1103BL5-026.8800 -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 26.88 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103BL5-026.8800 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1101AM2-156.2500 Microchip Technology DSC1101AM2-156.2500 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AM2-156.2500 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA6011JL3B-012.0000VAO Microchip Technology DSA6011JL3B-012.0000VAO -
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6011 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011JL3B-012.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSA6331JL2CB-024.0000VAO Microchip Technology DSA6331JL2CB-024.0000VAO -
RFQ
ECAD 5604 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6331 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2CB-024.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC6001ME2B-009.0000T Microchip Technology DSC6001ME2B-009.0000T -
RFQ
ECAD 1971 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 9 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001ME2B-009.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001MI1B-080.0000 Microchip Technology DSC6001MI1B-080.0000 -
RFQ
ECAD 9191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI1B-080.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121CI2-055.0000T Microchip Technology DSC1121CI2-055.0000T -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 55MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CI2-055.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA1103CL1-075.0000VAO Microchip Technology DSA1103CL1-075.0000VAO -
RFQ
ECAD 7492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1103 75MHz LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1103CL1-075.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6001JE1B-020.0000 Microchip Technology DSC6001JE1B-020.0000 -
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE1B-020.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSA1123DA1-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1123DA1-100.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DA1-100.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6311JI1AB-025.0000 Microchip Technology DSC6311JI1AB-025.0000 -
RFQ
ECAD 2258 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JI1AB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 1.5µA (()
DSA6101ML2B-026.0000VAO Microchip Technology DSA6101ML2B-026.0000VAO -
RFQ
ECAD 2857 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML2B-026.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122DE5-254.6500 Microchip Technology DSC1122DE5-254.6500 -
RFQ
ECAD 3821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 254.65 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122DE5-254.6500 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1222DE2-445M5000T Microchip Technology DSC1222DE2-445M5000T -
RFQ
ECAD 3656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 445.5 MHz lvpecl 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222DE2-445M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1123BI5-040.0000 Microchip Technology DSC1123BI5-040.0000 -
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 40MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123BI5-040.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA6101JL3B-024.5760TVAO Microchip Technology DSA6101JL3B-024.5760TVAO -
RFQ
ECAD 9439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JL3B-024.5760TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1123BI1-148.5000 Microchip Technology DSC1123BI1-148.5000 -
RFQ
ECAD 1782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123BI1-148.5000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1103BI5-148.5000 Microchip Technology DSC1103BI5-148.5000 -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103BI5-148.5000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1203NI3-148M3500T Microchip Technology DSC1203NI3-148M3500T -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.35 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NI3-148M3500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSA6122HA3B-01ECTVAO Microchip Technology DSA6122HA3B-01ECTVAO -
RFQ
ECAD 6307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6122HA3B-01ECTVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고