전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC6332JI3FB-050.0000 | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6332JI3FB-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||
![]() | DSC6111JI3B-019.2000 | - | ![]() | 4488 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6111 | 19.2 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111JI3B-019.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA | |||||||
![]() | DSA1123DL1-100.0000VAO | - | ![]() | 8299 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | 그래서 (톱) | DSA1123 | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1123DL1-100.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC6011MI3B-032.0000 | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 32 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011MI3B-032.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||
![]() | DSC6301JI1IB-050.0000 | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 50MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JI1IB-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | -1.00%, 00 확산 | - | ||||||||
![]() | DSC1223BI1-200.0000T | - | ![]() | 5017 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1223BI1-200.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | DSC2033FL2-F0004T | - | ![]() | 5470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2033 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-SMD,, 없음 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2033FL2-F0004TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 38MA (유형) | 0.037 "(0.95mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 100MHz | 150MHz | - | - | |||||||||
![]() | DSC6101JI2B-019.2000 | - | ![]() | 7019 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 19.2 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI2B-019.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | DSC6011JI2B-018.0000 | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 18 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI2B-018.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | DSA1101111DL3-020.00000000TVAO | - | ![]() | 2212 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101DL3-020.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | ||||||||
![]() | DSC1103BL5-026.8800 | - | ![]() | 4448 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 26.88 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103BL5-026.8800 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | DSC1101AM2-156.2500 | - | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1101 | 156.25 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101AM2-156.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||
![]() | DSA6011JL3B-012.0000VAO | - | ![]() | 9721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSA6011 | 12MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6011JL3B-012.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||
![]() | DSA6331JL2CB-024.0000VAO | - | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSA6331 | 24 MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6331JL2CB-024.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | - | |||||||
![]() | DSC6001ME2B-009.0000T | - | ![]() | 1971 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 9 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001ME2B-009.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSC6001MI1B-080.0000 | - | ![]() | 9191 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 80MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001MI1B-080.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSC1121CI2-055.0000T | - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 55MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121CI2-055.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSA1103CL1-075.0000VAO | - | ![]() | 7492 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1103 | 75MHz | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1103CL1-075.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | DSC6001JE1B-020.0000 | - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6001 | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JE1B-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSA1123DA1-100.0000TVAO | - | ![]() | 5760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | 그래서 (톱) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1123DA1-100.00000000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||||||||
![]() | DSC6311JI1AB-025.0000 | - | ![]() | 2258 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JI1AB-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 1.5µA (() | ||||||||
![]() | DSA6101ML2B-026.0000VAO | - | ![]() | 2857 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML2B-026.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | DSC1122DE5-254.6500 | - | ![]() | 3821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1122 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 254.65 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1122DE5-254.6500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 58ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC1222DE2-445M5000T | - | ![]() | 3656 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 445.5 MHz | lvpecl | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222DE2-445M5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | DSC1123BI5-040.0000 | - | ![]() | 7429 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 40MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123BI5-040.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||||||
![]() | DSA6101JL3B-024.5760TVAO | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JL3B-024.5760TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | DSC1123BI1-148.5000 | - | ![]() | 1782 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 148.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123BI1-148.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||||||
![]() | DSC1103BI5-148.5000 | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 148.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103BI5-148.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | DSC1203NI3-148M3500T | - | ![]() | 1185 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 148.35 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203NI3-148M3500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||
![]() | DSA6122HA3B-01ECTVAO | - | ![]() | 6307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | CMOS | 1.8V, 2.5V, 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6122HA3B-01ECTVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고