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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC1201NE3-64M08000 | - |  | 1793 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 64.08 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NE3-64M08000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
 | DSC6001HI2B-032.0000 | - | | 1211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 32 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI2B-032.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
| DSC6011JI1B-006.5536T | - | | 3648 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 6.5536 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI1B-006.5536TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||||||
| DSA1101CL3-033.3300TVAO | - | | 2956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1101 | 33.33 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101CL3-033.3300TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
| DSC6111MI3B-025.0000T | - | | 1039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111MI3B-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||||||
 | DSC6101MI2B-025.0000T | - | | 2222 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6101 | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101MI2B-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA | |||||||||||
| DSC1224CI2-38M40000 | - | | 8557 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X4 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1224 | 38.4 MHz | HCSL | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224CI2-38M40000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | ||||||||||
| DSC1001DI3-027.0000 | - | | 5189 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI3-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||||
| DSA6101ML3B-025.0000VAO | - | | 2631 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML3B-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||||
| DSC1203BI2-100M0000T | - | | 4429 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203BI2-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
| DSC1201NE3-20M97152 | - | | 2366 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 20.97152 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NE3-20M97152 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
| DSC6111JI1B-028.1250T | - | | 1339 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6111 | 28.125 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111JI1B-028.1250TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||||||
 | DSC6101JI3B-038.4000 | - | | 3106 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 38.4 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI3B-038.4000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||||||
 | DSA1001DI3-027.0000VAO | - | | 2647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 27 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DI3-027.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
| DSA1101BL2-040.0000TVAO | - | | 1623 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1101 | 40MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101BL2-040.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
| DSC2033FI2-F0046T | - | | 7662 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2033 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-SMD,, 없음 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2033FI2-F0046TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 38MA (유형) | 0.037 "(0.95mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 27MHz | - | - | - | |||||||||||||
| DSC1123CL3-093.4400T | - | | 2347 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 93.44 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123CL3-093.4400TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
| DSC6111HI1B-080.0000T | - | | 8486 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HI1B-080.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||||||
| DSC6102MI1B-500K000T | - | | 7002 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 500 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102MI1B-500K000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||||||
| DSC6001HI2B-025.0000T | - | | 6940 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI2B-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
| DSC1123DL2-156.2500 | - | | 7455 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123DL2-156.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
| DSA6101JI2B-032K768TVAO | - | | 3871 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JI2B-032K768TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
 | VXM7-9039-25M0000000 | - | | 3918 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 조각 | 활동적인 | 60 옴 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXM7-9039 | 25MHz | 근본적인 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-9039-25M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||||
| VC-840-9002-49M1520000 | - | | 9818 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 조각 | 활동적인 | - | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VC-840 | 49.152 MHz | CMOS | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-9002-49M1520000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||||||||||
| VXC1-1EE-13-25M0000000 | - | | 1201 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 조각 | 활동적인 | 30 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXC1-1 | 25MHz | 근본적인 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXC1-1EE-13-25M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 13pf | ± 20ppm | ± 20ppm | ||||||||||||||||
 | VMK3-9001-32K7680000tr | 1.4500 | | 17 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VMK3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | khz 크리스탈 (크리스탈 포크) | VMK3 | 32.768 kHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0010 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||||
 | VXM9-9011-51M8400000TR | 0.8375 | | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM9 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 80 옴 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXM9-9011 | 51.84 MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM9-9011-51M8400000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||
| vxm9-9012-66m6666660tr | 1.0900 | | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM9 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXM9-9012 | 66.666666 MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||||
 | DSA1001DL1-025.1000TVAO | - | | 1603 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 25.1 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL1-025.1000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||||||||
| DSA1001DL2-024.0000TV21 | - | | 3227 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL2-024.0000TV21TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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