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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | DSC6001HE1B-001.0000T | - | | 4955 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HE1B-001.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||
| DSA1004DL1-100.0000VAO | - | | 2417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 100MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1004DL1-100.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||
 | DSA1101DA1-022.5792VAO | - | | 4912 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 22.5792 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101DA1-022.5792VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||||||||
| DSC6001HE2B-015.0000T | - | | 1230 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 15MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HE2B-015.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
| DSA6101JI2B-036.8640TVAO | - | | 3183 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 36.864 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JI2B-036.8640TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC1102AI1-050.0000T | - | | 9984 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | 50MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1102AI1-050.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |||||||
| DSC1001CI2-088.0000T | - | | 4929 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 88MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI2-088.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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