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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| DSC6122MI2B-01MQT | - | | 7979 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6122 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6122MI2B-01MQTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | - | |||||||||
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| DSC6001JI3B-003K000T | - | | 4479 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 3 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JI3B-003K000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||
| DSC6112JI2A-028.1250 | - | | 9022 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 28.125 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 150-DSC6112JI2A-028.1250 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||||
| DSC6331HI2AB-012.0000T | - | | 3322 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6331 | 12MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331HI2AB-012.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |||||||
| DSC1001DL1-033.3300 | - | | 6918 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 33.33 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DL1-033.3300 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||
| DSC1103DI1-080.0000T | - | | 8316 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 80MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DI1-080.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||||||||
| DSC613RI3A-01M7T | - | | 4943 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC613 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC613 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC613RI3A-01M7TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 1.536MHz | 12.288MHz | 48kHz | - | ||||||||
| DSC1223CI3-125M0000 | - | | 7983 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1223 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1223CI3-125M0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
| DSC6301JI2FB-002.0000T | - | | 1377 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6301 | 2 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JI2FB-002.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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