SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
VXB2-1KJ-18-10M0000000 Microchip Technology VXB2-1KJ-18-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 3573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB2 조각 활동적인 40 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.173 "(4.40mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 10MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 18pf ± 50ppm ± 20ppm
VCC1-B3B-66M6667000 Microchip Technology VCC1-B3B-66M6667000 -
RFQ
 ECAD 9335 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6667 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR Microchip Technology VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VT-860-FFE-507D-20M0000000TR Microchip Technology VT-860-FFE-507D-20M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 20MHz 사인파를 사인파를 3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-FFE-507D-20M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.3ma 결정 ± 500ppb ± 12ppm - -
VCC6-VCP-100M0000000TR Microchip Technology vcc6-vcp-100m0000000tr -
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-VCP-100M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 100ppm - - -
VXM1-1SE-08-8M00000000TR Microchip Technology vxm1-1se-8m000000ttr -
RFQ
 ECAD 1860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 8 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-vxm1-1se-8m000000ttr 귀 99 8541.60.0050 1,000 8pf ± 100ppm ± 10ppm
VT-844-0001-14M7456000TR Microchip Technology VT-844-0001-14M7456000TR -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-844 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - - 표면 표면 4-SMD,, 없음 - 14.7456 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-VT-844-0001-14M7456000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 - - 결정 - - - -
VXM8-9014-12M0000000TR Microchip Technology VXM8-9014-12M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm8 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM8-9014-12M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
VC-840-EAE-FAAN-13M3000000TR Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-13M3000000TR -
RFQ
 ECAD 8054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.3 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-13M30000TTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR Microchip Technology VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 172.852 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 90ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
VC-711-EDW-KAAN-200M000000TR Microchip Technology VC-711-EDW-KAAN-200M0000TTR -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-EDW-KAAN-200M0000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
VC-844-EDE-FASN-156M250000TR Microchip Technology VC-844-ED-FASN-156M250000TR -
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-844 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VC-844-EDE-FASN-156M250000TR 1,000
DSC1121AI3-084.4032T Microchip Technology DSC1121AI3-084.4032T -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 84.4032 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI3-084.4032TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 20ppm - - 35MA
DSC1222CI3-164M4257T Microchip Technology DSC1222CI3-164M4257T -
RFQ
 ECAD 5015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 164.4257 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222CI3-164M4257TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSA6101JA3B-012.0000VAO Microchip Technology DSA6101JA3B-012.0000VAO -
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-012.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001CL2-066.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-066.0000 -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 66MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-066.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001CL1-001.8432VAO Microchip Technology DSA1001CL1-001.8432VAO -
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 1.8432 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CL1-001.8432VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1124DL5-012.0000T Microchip Technology DSC1124DL5-012.0000T -
RFQ
 ECAD 8290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 12MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124DL5-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1223CL2-100M0000TVAO Microchip Technology DSA1223CL2-100M0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL2-100M0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1123CE1-270.0000T Microchip Technology DSC1123CE1-270.0000T -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 270 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CE1-270.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123CE1-270.0000 Microchip Technology DSC1123CE1-270.0000 -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 270 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CE1-270.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CL2-133.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-133.0000T -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 133 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-133.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101CM1-010.0000 Microchip Technology DSC1101CM1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CM1-010.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121CL5-061.4400T Microchip Technology DSC1121CL5-061.4400T -
RFQ
 ECAD 9639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 61.44 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CL5-061.4400TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - 35MA
DSC1223NI2-250M0000T Microchip Technology DSC1223NI2-250M0000T -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI2-250M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSA1001CL3-033.3333TVAO Microchip Technology DSA1001CL3-03333333333333333333333333333333333333333333333333 3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333ttvao입니다 -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CL3-033.3333TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1121BI1-014.8946T Microchip Technology DSC1121BI1-014.8946T -
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 14.8946 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI1-014.8946TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - 35MA
DSA1001DL3-033.5544VAO Microchip Technology DSA1001DL3-033.5544VAO -
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.5544 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-033.5544VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA6331JL2CB-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6331JL2CB-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6331 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2CB-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1101AL2-156.2500T Microchip Technology DSC1101AL2-156.2500T -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AL2-156.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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