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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1222NI2-150M0000 Microchip Technology DSC1222NI2-150M0000 2.4120
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1222 150MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222NI2-150M0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-806-EDW-FAAN-156M250000 Microchip Technology VC-806-EDW-FAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1033BE2-024.0000 Microchip Technology DSC1033BE2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6331MA1AB-025.0000 Microchip Technology DSC6331MA1AB-025.0000 -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6331 25MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331MA1AB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
OX-221-9102-49M152 Microchip Technology OX-221-9102-49M152 107.8200
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 OX-221 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 1.000 "L x 0.866"W (25.40mm x 22.00mm) 0.486 "(12.35mm) 표면 표면 7-SMD,, 없음 OCXO 49.152 MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 700ma 결정 ± 5ppb - - -
DSC2311KE1-R0009T Microchip Technology DSC2311KE1-R0009T -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 25MHz - -
DSC400-1111Q0084KE1 Microchip Technology DSC400-1111Q0084KE1 -
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 33.3333MHz 50MHz 125MHz 100MHz
DSC2311KI2-R0008T Microchip Technology DSC2311KI2-R0008T -
RFQ
 ECAD 7430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 32MHz 25MHz - -
DSC2311KL2-R0027 Microchip Technology DSC2311KL2-R0027 -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 27MHz 27MHz - -
VCC6-QAB-100M000000 Microchip Technology VCC6-QAB-100M000000 -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC8103AI2 Microchip Technology DSC8103AI2 10.5200
RFQ
 ECAD 321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8103 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4700 귀 99 8542.39.0001 50 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
VCC1-B3B-66M0000000 Microchip Technology VCC1-B3B-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3R-100M000000_SNPB Microchip Technology VCC1-B3R-100M000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
DSC6001CE1A-016.0000T Microchip Technology DSC6001CE1A-016.0000T -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC400-4334Q0022KE1 Microchip Technology DSC400-4334Q0022KE1 -
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 125MHz
DSC6001HI2A-012.0000T Microchip Technology DSC6001HI2A-012.0000T -
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1123CL3-100.0000VAO Microchip Technology DSA1123CL3-100.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.6V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CL3-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1203BE3-100M0000 Microchip Technology DSC1203BE3-100M0000 -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203BE3-100M0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1001AL5-025.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-025.0000 2.8000
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VT-706-EFE-2070-40M0000000 Microchip Technology VT-706-EFE-2070-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1101DA2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA11011DA2-020.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA2-020.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001DL2-004.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-004.0000T -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 5MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001AI5-066.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-066.0000 -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 66MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 10ppm - - -
VC-709-ECE-KAAN-120M000000 Microchip Technology VC-709-ECE-KAAN-120M000000 -
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 120MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 50ppm - - -
MO-9000AE-6F-EE-12M4200000 Microchip Technology MO-9000AE-6F-EE-12M4200000 -
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6001MI2A-022.0000 Microchip Technology DSC6001MI2A-022.0000 -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 22MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 150-DSC6001MI2A-022.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1001DI1-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-025.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC6-QAF-200M000000 Microchip Technology VCC6-QAF-200M000000 -
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VCC1-F2F-20M0000000 Microchip Technology VCC1-F2F-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1033BI1-060.0000T Microchip Technology DSC1033BI1-060.0000T -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 60MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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