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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
DSC6331JI2FB-027.0000 Microchip Technology DSC6331JI2FB-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2FB-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC1123DI5-080.0000 Microchip Technology DSC1123DI5-080.0000 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 80MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DI5-080.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VXM7-1136-20M0000000TR Microchip Technology VXM7-1136-20M0000000TR -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 20MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1136-20M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
VC-820-9012-20M0000000TR Microchip Technology VC-820-9012-20M0000000TR -
RFQ
 ECAD 3442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-9012-20M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 - - - 10µA
DSC6011MI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6011MI2B-012.2880 -
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-012.2880 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
090-02789-011 Microchip Technology 090-02789-011 -
RFQ
 ECAD 2910 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 CSAC SA65 대부분 활동적인 -10 ° C ~ 65 ° C - 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) 0.460 "(11.68mm) 구멍을 구멍을 12-DIP 9, 9 개의 리드 원자 10MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-090-02789-011 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 ± 0.3ppb - - -
DSC6001HI2B-005.0000T Microchip Technology DSC6001HI2B-005.0000T -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-005.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001JE2B-012.0000T Microchip Technology DSC6001JE2B-012.0000T -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE2B-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101JL3B-127K000T Microchip Technology DSC6101JL3B-127K000T -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 127 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JL3B-127K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VC-708-EDE-FNXN-156M634600TR Microchip Technology VC-708-ED-FNXN-156M634600TR -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.6346 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ED-FNXN-156M634600TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
VCC1-F3C-20M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-F3C-20M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-F3C-20M0000000_SNPBTR 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1001BI5-150.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 150MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI5-150.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6053HE3B-016.0000 Microchip Technology DSC6053HE3B-016.0000 -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HE3B-016.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6011MI2B-050.0000 Microchip Technology DSC6011MI2B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1203CI3-200M0000T Microchip Technology DSC1203CI3-200M0000T -
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-200M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VCC6-VCD-125M000000TR Microchip Technology VCC6-VCD-125M000000TR -
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-VCD-125M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
VXM7-1101-114M285000TR Microchip Technology VXM7-1101-114M285000TR -
RFQ
 ECAD 3468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 114.285 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1101-114M285000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
VCC1-G3R-25M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-G3R-25M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-G3R-25M0000000_SNPBTR 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-801-JAE-KAAN-33M0000000 Microchip Technology VC-801-JAE-KAAN-33M0000000 -
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33MHz CMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-JAE-KAAN-33M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1203DL2-125M0000T Microchip Technology DSC1203DL2-125M0000T -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DL2-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
VCC6-QCB-125M000000TR Microchip Technology VCC6-QCB-125M000000TR -
RFQ
 ECAD 4481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-QCB-125M000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm - - -
DSA6101JA3B-451K667TVAO Microchip Technology DSA6101JA3B-451K667TVAO -
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 451.667 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-451K667TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VC-820-EAE-KAAN-18M4320000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-18M4320000 -
RFQ
 ECAD 1877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-18M4320000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSC1224BI2-100M0000T Microchip Technology DSC1224BI2-100M0000T -
RFQ
 ECAD 7329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224BI2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
VV-701-EAE-PEAB-40M9600000 Microchip Technology VV-701-EAE-PEAB-40M9600000 -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-701 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 40.96 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VV-701-EAE-PEAB-40M9600000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 9MA 결정 ± 20ppm ± 80ppm - -
VC-820-EAE-KAAN-1M00000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-1M00000000 -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-1M000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSC6011JI2B-004.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-004.0000T -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-004.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VC-709-ECE-FAAN-159M375000 Microchip Technology VC-709-ECE-FAAN-159M375000 -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 159.375 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-ECE-FAAN-159M375000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC6011MI2B-008.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-008.0000T -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1201NE2-30M37000T Microchip Technology DSC1201NE2-30M37000T -
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 30.37 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE2-30M37000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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