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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1121CM2-032.0000T	-	RFQ	8225	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	32 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DE2-020.0000T	0.9000	RFQ	3694	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DSC1001DE2020.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001CI5-033.3330	-	RFQ	7331	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC400-1111Q0034KE1	-	RFQ	8161	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				50MHz	50MHz	50MHz	50MHz
DSC6001HI2A-026.0000	-	RFQ	5401	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수			150-DSC6001HI2A-026.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
dsc6011me2a 프로그램 가능	-	RFQ	6654	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	sic에서 중단되었습니다	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC6101MA3B-026.0000T	-	RFQ	2877	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	26 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6101MA3B-026.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
VC-711-ECW-EAAN-156M250000	-	RFQ	9749	마이크로 마이크로 기술	VC-711	조각	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	3.3v	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		69ma		결정	± 20ppm	-	-	-
DSC1003AE2-024.0000T	-	RFQ	4919	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1003	24 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC6-LAF-150M000000	-	RFQ	4607	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSA1001DI1-020.0000TVAO	-	RFQ	6177	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	20MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6112MI1B-074.2500T	-	RFQ	3185	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		74.25 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6112MI1B-074.2500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6023JI2A-00A7	-	RFQ	9130	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				74.1758MHz, 74.25MHz	-	-	-
DSC1122CI2-200.0000	-	RFQ	7210	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	200MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DI3-012.2880	-	RFQ	2290	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DI3-012.2880	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1001BL5-014.7456T	-	RFQ	6657	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1121AI2-053.1250	-	RFQ	7647	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1121	53.125 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121AI2-053.1250	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1004AE5-050.0000T	-	RFQ	5764	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1004	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1033CI1-054.0000T	-	RFQ	2852	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	54 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		4MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6011ME2B-050.0000	-	RFQ	7542	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC400-4334Q0022KI1T	-	RFQ	3957	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				125MHz	100MHz	100MHz	125MHz
VT-840-0030-16M3680000	-	RFQ	3814	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	마지막으로 마지막으로												다운로드				150-VT-840-0030-16M3680000			1
DSA1001DL3-032.7680VAO	-	RFQ	4036	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	32.768 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DL3-032.7680VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		10.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1101111DI5-020.0000T	2.0200	RFQ	3462	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	20MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6101CE1A-100.0000	-	RFQ	8011	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSA1101CI2-024.3050VAO	-	RFQ	5617	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		24.305 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1101CI2-024.3050VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6023JI2A-00A4T	-	RFQ	4842	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				20MHz, 25MHz	-	-	-
DSC400-0101Q0096KI1	-	RFQ	2173	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				14.7456MHz	148.5MHz	-	-
DSC6001CI2A-048.0000	-	RFQ	4131	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		48MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수			150-DSC6001CI2A-048.0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC2033FI1-G0002	-	RFQ	6114	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz, 125MHz	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²