전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
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![]() | DSC1001CI2-038.0000T | - | ![]() | 1499 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 38MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI2-038.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||
![]() | DSC1201DI3-50M00000T | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1201 | 50MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201DI3-50M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||
![]() | DSC6001JL2B-006.0053 | - | ![]() | 3719 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6001 | 6.0053 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JL2B-006.0053 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6011MA3B-002K000 | - | ![]() | 2042 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 2 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011MA3B-002K000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6001HL2B-009.8460 | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 9.846 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HL2B-009.8460 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1222NI2-156M2500T | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1222 | 156.25 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222NI2-156M2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||||
![]() | DSC1103DL5-027.0000 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1103 | 27 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DL5-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |||||||||
![]() | DSC1001DL1-050.0000T | - | ![]() | 4005 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 50MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DL1-050.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||||
![]() | DSC1001CI2-038.0000 | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 38MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI2-038.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||
![]() | DSC1001DI3-060.0000T | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 60MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI3-060.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||
![]() | MX575RBC114M285-TR | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX575RBC114M285 | 114.285 MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | MX555LBA162M000 | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX555LBA162M000 | 162 MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX555LBA162M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | MX575RBA114M285 | - | ![]() | 8889 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX575RBA114M285 | 114.285 MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX575RBA114M285 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | MX575RBC114M285 | - | ![]() | 6756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX575RBC114M285 | 114.285 MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX575RBC114M285 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | DSC1000CL3 000 | 1.2800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC100 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1000 | CMOS | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1000CL3 프로그램 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | - | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | - | MEMS | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1104BE2-027.0000T | - | ![]() | 3121 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1104 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1104 | 27 MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1104BE2-027.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 42MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||
![]() | MX555ABBB100M000-TR | - | ![]() | 3302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX555ABB100 | 100MHz | LVD | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX555ABBBB100M000-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1001CL3-025.0000 | - | ![]() | 6101 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 25MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CL3-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||
![]() | MX574EBA80M0000-TR | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX574 | 80MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX574EBA80M0000-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6101JA3B-Progt | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6101 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 3.5 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||||||||
![]() | DSC6021HA3B-01D0T | - | ![]() | 2172 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6021 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6021HA3B-01D0TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 8MHz, 10MHz | - | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC6331JI2FB-025.0000 | - | ![]() | 1728 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6331 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JI2FB-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||
![]() | DSC1100CL3-Progt | 2.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | - | DSC1100 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | - | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | MX574JBB81M9200-TR | - | ![]() | 9041 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX574JBB81M9200 | 81.92 MHz | LVD | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX574JBB81M9200-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 90ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6011MI2B-004.0960T | - | ![]() | 7453 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 1.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011MI2B-004.0960TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6001HI2B-018.4320 | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 18.432 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI2B-018.4320 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1101AI2-066.6666 | - | ![]() | 8086 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1101 | 66.6666 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101AI2-066.6666 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||
![]() | DSC6041HI2B-025.0000 | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6041 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6041HI2B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6001HA3B-Progt | 1.8600 | ![]() | 620 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 2 kHz ~ 80 MHz | ± 20ppm | ||||||||||
![]() | DSC6311JA1BB-019.2000T | - | ![]() | 6669 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6311 | 19.2 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JA1BB-019.2000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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