SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1001CI2-038.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-038.0000T -
RFQ
ECAD 1499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 38MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI2-038.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1201DI3-50M00000T Microchip Technology DSC1201DI3-50M00000T -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201DI3-50M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6001JL2B-006.0053 Microchip Technology DSC6001JL2B-006.0053 -
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 6.0053 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JL2B-006.0053 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011MA3B-002K000 Microchip Technology DSC6011MA3B-002K000 -
RFQ
ECAD 2042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 2 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA3B-002K000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6001HL2B-009.8460 Microchip Technology DSC6001HL2B-009.8460 -
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 9.846 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HL2B-009.8460 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1222NI2-156M2500T Microchip Technology DSC1222NI2-156M2500T -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1222 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222NI2-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1103DL5-027.0000 Microchip Technology DSC1103DL5-027.0000 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DL5-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001DL1-050.0000T Microchip Technology DSC1001DL1-050.0000T -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL1-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CI2-038.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-038.0000 -
RFQ
ECAD 8828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 38MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI2-038.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DI3-060.0000T Microchip Technology DSC1001DI3-060.0000T -
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI3-060.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
MX575RBC114M285-TR Microchip Technology MX575RBC114M285-TR -
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575RBC114M285 114.285 MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
MX555LBA162M000 Microchip Technology MX555LBA162M000 -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX555LBA162M000 162 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX555LBA162M000 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
MX575RBA114M285 Microchip Technology MX575RBA114M285 -
RFQ
ECAD 8889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575RBA114M285 114.285 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX575RBA114M285 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
MX575RBC114M285 Microchip Technology MX575RBC114M285 -
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575RBC114M285 114.285 MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX575RBC114M285 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1000CL3-PROG Microchip Technology DSC1000CL3 000 1.2800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1000 CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1000CL3 프로그램 귀 99 8542.39.0001 110 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS - - -
DSC1104BE2-027.0000T Microchip Technology DSC1104BE2-027.0000T -
RFQ
ECAD 3121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1104 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1104BE2-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX555ABB100M000-TR Microchip Technology MX555ABBB100M000-TR -
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX555ABB100 100MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX555ABBBB100M000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001CL3-025.0000 Microchip Technology DSC1001CL3-025.0000 -
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL3-025.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
MX574EBA80M0000-TR Microchip Technology MX574EBA80M0000-TR -
RFQ
ECAD 9266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574 80MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574EBA80M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6101JA3B-PROGT Microchip Technology DSC6101JA3B-Progt 1.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6101 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 3.5 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
DSC6021HA3B-01D0T Microchip Technology DSC6021HA3B-01D0T -
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021HA3B-01D0TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz, 10MHz - - -
DSC6331JI2FB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI2FB-025.0000 -
RFQ
ECAD 1728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2FB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC1100CL3-PROGT Microchip Technology DSC1100CL3-Progt 2.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn - DSC1100 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
MX574JBB81M9200-TR Microchip Technology MX574JBB81M9200-TR -
RFQ
ECAD 9041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574JBB81M9200 81.92 MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574JBB81M9200-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6011MI2B-004.0960T Microchip Technology DSC6011MI2B-004.0960T -
RFQ
ECAD 7453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 1.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-004.0960TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001HI2B-018.4320 Microchip Technology DSC6001HI2B-018.4320 -
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 18.432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-018.4320 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101AI2-066.6666 Microchip Technology DSC1101AI2-066.6666 -
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 66.6666 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AI2-066.6666 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6041HI2B-025.0000 Microchip Technology DSC6041HI2B-025.0000 -
RFQ
ECAD 3035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6041 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6041HI2B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001HA3B-PROGT Microchip Technology DSC6001HA3B-Progt 1.8600
RFQ
ECAD 620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 2 kHz ~ 80 MHz ± 20ppm
DSC6311JA1BB-019.2000T Microchip Technology DSC6311JA1BB-019.2000T -
RFQ
ECAD 6669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JA1BB-019.2000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고