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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA1101CA2-010.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CA2-010.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CA2-010.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1101CL2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CL2-020.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CL2-020.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1101DA1-004.0000VAO Microchip Technology DSA11011-004.0000VAO -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 4 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-004.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101DA1-026.9973TVAO Microchip Technology DSA1101DA1-026.9973TVAO -
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 26.9973 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-026.9973TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101DA1-040.0000TVAO Microchip Technology DSA1101DA1-040.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-040.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101DA2-050.0000TVAO Microchip Technology DSA11011DA2-050.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA2-050.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1101DI1-004.0000VAO Microchip Technology DSA1101DI1-004.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 4 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DI1-004.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101DL2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1101111DL2-026.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 26 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DL2-026.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1101DL2-026.0000VAO Microchip Technology DSA1101DL2-026.0000VAO -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 26 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DL2-026.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1105DL3-033.3330TVAO Microchip Technology DSA1105DL3-033.3330TVAO -
RFQ
 ECAD 9093 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1105 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1105 33.333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1105DL3-033.3330TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSA1121DA3-008.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA3-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA3-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSA1121DA3-016.0000TVAO Microchip Technology DSA1121DA3-016.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA3-016.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSA2311KA2-R0076VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0076VAO -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0076VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 20MHz 26.956522MHz - -
DSA2311KA3-R0041VAO Microchip Technology DSA2311KA3-R0041VAO -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA3-R0041VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm 100MHz 100MHz - -
DSA2311KI2-R0015VAO Microchip Technology DSA2311KI2-R0015VAO -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI2-R0015VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 24MHz 24MHz - -
DSC1001AE1-003.5700T Microchip Technology DSC1001AE1-003.5700T -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 3.57 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001A1-003.5700T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BI1-099.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-099.0000 -
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 99MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI1-099.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BI5-066.6660T Microchip Technology DSC1001BI5-066.6660T -
RFQ
 ECAD 5644 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 66.666 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI5-066.6660T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001BL2-125.0000T Microchip Technology DSC1001BL2-125.0000T -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BL2-125.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CL2-026.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-026.0000T -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-026.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101BI2-027.1200T Microchip Technology DSC1101BI2-027.1200T -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 27.12 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101BI2-027.1200T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1102AI5-400.0000T Microchip Technology DSC1102AI5-400.0000T -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1102 400MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1102AI5-400.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1103AI5-180.0000 Microchip Technology DSC1103AI5-180.0000 -
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1103 180MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103AI5-180.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1121AI2-159.3750T Microchip Technology DSC1121AI2-159.3750T -
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 159.375 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI2-159.3750T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1122BE1-133.3300 Microchip Technology DSC1122BE1-133.3300 -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 133.33 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122BE1-133.3300 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123DE1-125.0000 Microchip Technology DSC1123DE1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DE1-125.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1201NI2-129M6000 Microchip Technology DSC1201NI2-129M6000 -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 129.6 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NI2-129M6000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 10ppm - - 5µA
DSC1203CI3-133M3333 Microchip Technology DSC1203CI3-133M3333 -
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1203 133.3333 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-133M3333 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1203DI3-156M0000T Microchip Technology DSC1203DI3-156M0000T -
RFQ
 ECAD 6579 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1203 156 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DI3-156M0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1221CA3-25M00000 Microchip Technology DSC1221CA3-25M00000 -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1221 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CA3-25M00000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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