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결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSC1001DI1-045.1584	-	RFQ	8667	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	45.1584 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	7.1ma		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSA6301HL1AB-027.0000TVAO	-	RFQ	3580	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSA6301	27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6301HL1AB-027.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1123AI2-025.0000T	-	RFQ	1428	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	25MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA1004DL1-100.0000TVAO	-	RFQ	8162	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		100MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1004DL1-100.00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6003HL3B-014.0000T	-	RFQ	8240	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6003	14 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	-	-	-	-
DSC6021CI2A-00A3T	0.8800	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				6.1298MHz, 6.1679MHz	-	-	-
DSC1001DI5-029.4912T	1.9625	RFQ	1742	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC2311KL2-R0009T	-	RFQ	5250	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	25MHz	25MHz	-	-
DSC1001DI5-014.3181T	-	RFQ	8718	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	14.3181 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma		MEMS	-	± 10ppm	-	15µA
DSC6011JI2A-033.0000	-	RFQ	7318	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		33MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC1-E3F-24M5454540	-	RFQ	9775	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VPC1-B1B-100M000000	-	RFQ	9655	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1101BI3-013.5600T	-	RFQ	5678	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	13.56 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101BI3-013.5600T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA		MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC1003AI1-050.0000	-	RFQ	9737	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1003	50MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	7.4ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC2011FM1-E0002T	-	RFQ	8242	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz	25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz	-	-
DSC400-3331Q0097KE1	-	RFQ	6235	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				16MHz	50MHz	50MHz	50MHz
VCC1-9009-114M285000TR	-	RFQ	7397	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		114.285 MHz	CMOS	1.8V ~ 5V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-9009-114M285000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	60ma		결정	-	-	-	30µA
DSC1121DM2-100.0000	-	RFQ	1317	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
CD-700-LAC-GKB-16M3840000	-	RFQ	9398	마이크로 마이크로 기술	CD-700	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm)			16-SMD,, 없음	VCXO			CMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD-700-LAC-GKB-16M3840000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-	63MA	0.084 "(2.13mm)	결정	± 75ppm				16.384MHz	-	-	-
DSC400-3333Q0094KI2	-	RFQ	9098	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				125MHz	100MHz	100MHz	50MHz
DSC1103DI5-032.0000	-	RFQ	9850	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	32 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC400-0101Q0096KE2T	-	RFQ	5629	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				14.7456MHz	148.5MHz	-	-
DSC2044FI2-H000B	-	RFQ	9363	마이크로 마이크로 기술	DSC2044	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2044		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화	60ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	156.25MHz	156.25MHz	-	-
DSC2044FE2-F0018	-	RFQ	6872	마이크로 마이크로 기술	DSC2044	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2044		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	60ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	-	-
DSC1001DI1-028.6363T	-	RFQ	2843	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	28.6363 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VXM4-1A1-16M0000000	-	RFQ	3174	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
DSC6122CI2A-00B2	0.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-	3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				24MHz, 48MHz	-	-	-
DSC400-4444Q0015KE1T	-	RFQ	7053	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz	100MHz, 156.25MHz
DSA1123CL2-026.0000TVAO	-	RFQ	8234	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	그래서 (톱)		26 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1123CL2-026.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC400-1111Q0084KI2T	-	RFQ	2980	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				33.33333MHz	50MHz	125MHz	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²