SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1103CL5-200.0000 Microchip Technology DSC1103CL5-200.0000 -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CL5-200.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1121CI2-050.0000 Microchip Technology DSC1121CI2-050.0000 1.3500
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VT-700-DFJ-206A-40M0000000TR Microchip Technology VT-700-DFJ-206A-40M0000000TR -
RFQ
 ECAD 8862 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-700 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 40MHz 사인파를 사인파를 5V - 영향을받지 영향을받지 150-VT-700-DFJ-206A-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 진폭 진폭 3MA 결정 ± 2ppm ± 5ppm - -
DSC6003JI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6003JI2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-025.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1121DA2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1121DA2-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA2-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VC-840-JAE-KAAN-122M767857 Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-122M767857 -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 122.767857 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-JAE-KAAN-122M767857 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
DSC1103CE1-100.0000T Microchip Technology DSC1103CE1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CE1-100.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-840-1032-25M0000000 Microchip Technology VC-840-1032-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 대부분 쓸모없는 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 150-VC-840-1032-25M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 13MA 결정 - - - 10µA
DSC6112JE1B-100.0000T Microchip Technology DSC6112JE1B-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6112JE1B-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1101BI2-027.1200 Microchip Technology DSC1101BI2-027.1200 -
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 27.12 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101BI2-027.1200 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1224CI3-350M0000 Microchip Technology DSC1224CI3-350M0000 -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 350MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224CI3-350M0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6111JI1B-019.2000T Microchip Technology DSC6111JI1B-019.2000T 0.8640
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-019.2000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSA1101BA3-008.0000VAO Microchip Technology DSA1101BA3-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101BA3-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
VC-714-0002-156M250000TR Microchip Technology VC-714-0002-156M250000tr -
RFQ
 ECAD 6674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-714 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz - 2.5V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-714-0002-156M250000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 70ma 결정 - - - -
VCC1-F3B-25M0000000 Microchip Technology VCC1-F3B-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121AI1-064.0000T Microchip Technology DSC1121AI1-064.0000T -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 64 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI1-064.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1103BE5-300.0000T Microchip Technology DSC1103BE5-300.0000T -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 300MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103BE5-300.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-840-JAE-KAAN-122M767857TR Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-122M767857TR -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 122.767857 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-JAE-KAAN-122M767857TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
DSC1123BL2-200.0000T Microchip Technology DSC1123BL2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123BL2-200.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1522MA1A-25M00000 Microchip Technology DSC1522MA1A-25M00000 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - 7.8ma
DSC6102JI2B-025.0000 Microchip Technology DSC6102JI2B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6102 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI2-100.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001CI1A-052.0000 Microchip Technology DSC6001CI1A-052.0000 -
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 52MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6001CI1A-052.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VX-705-EAE-KXAN-114M285000 Microchip Technology VX-705-EAE-KXAN-114M285000 -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 114.285 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-EAE-KXAN-114M285000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
VCC1-A3B-12M0000000 Microchip Technology VCC1-A3B-12M0000000 -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123NE1-100.0000T Microchip Technology DSC1123NE1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1223CI3-148M5000T Microchip Technology DSC1223CI3-148M5000T -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CI3-148M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSA1121DA2-125.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA2-125.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA2-125.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1030BC1-040.0000T Microchip Technology DSC1030BC1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1123NL5-125.0000 Microchip Technology DSC1123NL5-125.0000 -
RFQ
 ECAD 9775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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