SIC
close

결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
MX553EBG125M000 Microchip Technology MX553EBG125M000 -
RFQ
 ECAD 8160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX553EBG125M000 125MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1101DM5-011.0592T Microchip Technology DSC11011111DM5-011.0592T -
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 11.0592 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC400-0401Q0103KE2T Microchip Technology DSC400-0401Q0103KE2T -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12.288MHz 100MHz - -
DSC1103AI2-250.0000 Microchip Technology DSC1103AI2-250.0000 -
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1122CI2-151.0000T Microchip Technology DSC1122CI2-151.0000T -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 151 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1101CM1-040.0000 Microchip Technology DSC1101CM1-040.0000 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSC613NI2A-0106 Microchip Technology DSC613NI2A-0106 -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 1.5 µA 19.2MHz 24MHz 32.768kHz -
DSC1123NI5-100.0000 Microchip Technology DSC1123NI5-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6606 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1003BI1-008.0000 Microchip Technology DSC1003BI1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BE2-014.7450T Microchip Technology DSC1001BE2-014.7450T -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.745 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101AL2-156.2500 Microchip Technology DSC1101AL2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AL2-156.2500 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC612NI3A-01KVT Microchip Technology DSC612NI3A-01KVT -
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NI3A-01KVTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 470kHz 485kHz - -
DSC6011HA2B-025.0000T Microchip Technology DSC6011HA2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA2B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6021JI2B-01J5T Microchip Technology DSC6021JI2B-01J5T -
RFQ
 ECAD 8784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI2B-01J5TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm - - - -
VCC1-B3E-75M0000000 Microchip Technology VCC1-B3E-75M0000000 -
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6021HE2A-00D8 Microchip Technology DSC6021HE2A-00D8 -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 2.048MHz, 4.096MHz - - -
DSC1121CE1-033.3333 Microchip Technology DSC1121CE1-033.3333 0.9300
RFQ
 ECAD 7518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001BC1-080.0000 Microchip Technology DSC1001BC1-080.0000 -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 80MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BC1-080.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VT-706-EAW-207B-10M0000000 Microchip Technology VT-706-EAW-207B-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 1034 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VXB2-1KJ-18-10M0000000TR Microchip Technology VXB2-1KJ-18-10M0000000TR -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB2 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.173 "(4.40mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 10MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXB2-1KJ-18-10M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 18pf ± 50ppm ± 20ppm
DSC400-1111Q0111KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0111KI2 -
RFQ
 ECAD 1519 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 20MHz 24MHz -
DSC1033AI2-054.0000T Microchip Technology DSC103333AI2-054.0000T -
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 54 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
VCD2-A3D-160M000000 Microchip Technology VCD2-A3D-160M000000 -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCD2 튜브 활동적인 - - 0.567 "L x 0.378"W (14.40mm x 9.60mm) 0.217 "(5.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 160MHz PECL - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCD2-A3D-160M000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 100ma 결정 - - - -
VXE4-1B0-40M0000000 Microchip Technology VXE4-1B0-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
DSC1104CI2-100.0000 Microchip Technology DSC1104CI2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1104 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1121AI1-025.0000T Microchip Technology DSC1121AI1-025.0000T 1.0100
RFQ
 ECAD 5445 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VCC1-B3A-83M3300000 Microchip Technology VCC1-B3A-83M3300000 -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC6-LAD-66M0000000_SNPB Microchip Technology VCC6-LAD-66M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
DSC6101ME2A-024.0000T Microchip Technology DSC6101ME2A-024.0000T -
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC6-LCD-25M0000000 Microchip Technology VCC6-LCD-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다