SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
VXM7-9058-26M0000000 Microchip Technology VXM7-9058-26M0000000 -
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 150-VXM7-9058-26M0000000TR 100
DSC6083JI1A-016K000T Microchip Technology DSC6083JI1A-016K000T -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1003CI2-008.0000T Microchip Technology DSC1003CI2-008.0000T -
RFQ
ECAD 5385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003CI2-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC6-LCD-212M500000 Microchip Technology VCC6-LCD-212M500000 -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001CI1-008.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-008.0000T -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BI2-007.3728T Microchip Technology DSC1001BI2-007.3728T -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121BI2-125.0037 Microchip Technology DSC1121BI2-125.0037 -
RFQ
ECAD 3195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 125.037 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI2-125.0037 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA6001JA3B-004.0000TVAO Microchip Technology DSA6001JA3B-004.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6001 4 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JA3B-004.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1123DL5-176.5000T Microchip Technology DSC1123DL5-176.5000T -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 176.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6301CE1FA-001.6000 Microchip Technology DSC6301CE1FA-001.6000 -
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.6 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001BI5-012.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-012.0000T -
RFQ
ECAD 1118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6111BI1B-040.0000 Microchip Technology DSC6111BI1B-040.0000 0.9240
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI1B-040.0000 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6183CE2A-455K000T Microchip Technology DSC6183CE2A-455K000T -
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 455 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI1-024.5792 Microchip Technology DSC1001DI1-024.5792 -
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.5792 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1221NL1-125M0000 Microchip Technology DSC1221NL1-125M0000 -
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221NL1-125M0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VCB2-A3A-16M0000000 Microchip Technology VCB2-A3A-16M0000000 -
RFQ
ECAD 1492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCB2 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.500 "L x 0.500"W (12.70mm x 12.70mm) 0.250 "(6.35mm) 표면 표면 8-smd, 4 d 리드 (반 크기 크기) xo (표준) 16MHz CMOS 5V - 영향을받지 영향을받지 150-VCB2-A3A-16M0000000 귀 99 8541.60.0080 250 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 100ppm - - -
DSC6001CE1A-027.1780T Microchip Technology DSC6001CE1A-027.1780T -
RFQ
ECAD 5836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.178 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6121CI2A-00AET Microchip Technology DSC6121CI2A-00AET -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 20MHz, 25MHz - - -
DSA6001HL1B-020.0000VAO Microchip Technology DSA6001HL1B-020.0000VAO -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001HL1B-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6331JI3DB-008.0000T Microchip Technology DSC6331JI3DB-008.0000T -
RFQ
ECAD 7743 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI3DB-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC6011JI3B-327K680T Microchip Technology DSC6011JI3B-327K680T -
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 327.68 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI3B-327K680TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6331HI2AA-002.4576 Microchip Technology DSC6331HI2AA-002.4576 -
RFQ
ECAD 8217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 2.4576 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
VCC1-F3F-24M4440000 Microchip Technology VCC1-F3F-24M4440000 -
RFQ
ECAD 7777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121AM2-010.0000T Microchip Technology DSC1121AM2-010.0000T -
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AM2-010.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121AI2-125.0037T Microchip Technology DSC1121AI2-125.0037T -
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 125.0037 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6021MI2A-009V Microchip Technology DSC6021MI2A-009V -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC6101JI2A-006.1679T Microchip Technology DSC6101JI2A-006.1679T -
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 6.1679 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-H3D-25M0000000 Microchip Technology VCC1-H3D-25M0000000 -
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6053HI3B-064.0128T Microchip Technology DSC6053HI3B-064.0128T -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HI3B-064.0128TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6111HL1B-010.0000 Microchip Technology DSC6111HL1B-010.0000 -
RFQ
ECAD 8871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HL1B-010.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고