SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6001JL2B-006.0053T Microchip Technology DSC6001JL2B-006.0053T -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 6.0053 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JL2B-006.0053TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1204NL1-100M0000 Microchip Technology DSC1204NL1-100M0000 1.9920
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1204 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1204NL1-100M0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC6301JI2AB-002.0000T Microchip Technology DSC6301JI2AB-002.0000T -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6301 2 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI2AB-002.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1103AI2-200.0000 Microchip Technology DSC1103AI2-200.0000 3.3120
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA6101MA1B-033.3300VAO Microchip Technology DSA6101MA1B-033.3300VAO -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6101 33.33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101MA1B-033.3300VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC613PI3A-0105B Microchip Technology DSC613PI3A-0105B -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 25MHz 12MHz 32.768kHz -
DSC400-3333Q0094KI1T Microchip Technology DSC400-3333Q0094KI1T -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 50MHz
DSC1121BI2-013.0000T Microchip Technology DSC1121BI2-013.0000T -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 13MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC8101CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8101ci2 프로그램 가능 11.3600
RFQ
 ECAD 2904 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4689 프로그램 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSC1101DI1-100.0000T Microchip Technology DSC1101DI1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-H3E-28M6363000TR Microchip Technology VCC1-H3E-28M6363000TR -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.6363 MHz CMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-H3E-28M6363000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC6331HI2AB-036.0000 Microchip Technology DSC6331HI2AB-036.0000 -
RFQ
 ECAD 6107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331HI2AB-036.0000 귀 99 8542.39.0001 100
DSC1001BI2-012.5000 Microchip Technology DSC1001BI2-012.5000 0.9720
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001JI1B-040.0000 Microchip Technology DSC6001JI1B-040.0000 -
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI1B-040.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1003DL1-125.0000 Microchip Technology DSC1003DL1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 7075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 125MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 9.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1122AI5-155.5200T Microchip Technology DSC1122AI5-155.5200T -
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 155.52 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1121AE2-156.2500 Microchip Technology DSC1121AE2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 5605 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1101AI5-048.0000T Microchip Technology DSC1101AI5-048.0000T -
RFQ
 ECAD 5891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1123AE2-156.2500 Microchip Technology DSC1123AE2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 4686 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSC1001CI5-080.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-080.0000 -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC1-B3P-112M000000 Microchip Technology VCC1-B3P-112M000000 -
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VX-705-EAE-PEAN-120M000000 Microchip Technology VX-705-EAE-PEAN-120M000000 -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC6331JI2BA-024.0000T Microchip Technology DSC6331JI2BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC1103DL5-063.5000 Microchip Technology DSC1103DL5-063.5000 -
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 63.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DL5-063.5000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1122DI2-156.2500 Microchip Technology DSC1122DI2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1033CI2-037.1250 Microchip Technology DSC1033CI2-037.1250 -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 37.125 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6112JI1B-050.0000T Microchip Technology DSC6112JI1B-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6112 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1101DE2-045.1584T Microchip Technology DSC1101DE2-045.1584T -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 45.1584 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-012.2880 Microchip Technology DSC1001CI2-012.2880 -
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-801-EAE-FABN-27M0000000_SNPB Microchip Technology VC-801-EAE-FABN-27M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 1886 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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