SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6301JI2BA-048.0000T Microchip Technology DSC6301JI2BA-048.0000T -
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSA1001CI1-006.0053VAO Microchip Technology DSA1001CI1-006.0053VAO -
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.0053 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CI1-006.0053VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MXT573BBA864M000-TR Microchip Technology MXT573BBA864M000-TR -
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Clockworks® Fusion 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga TCXO MXT573BBA864M000 864 MHz PECL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MXT573BBA864M000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 125MA 결정 ± 5ppm - - -
VCC1-F3F-66M0000000 Microchip Technology VCC1-F3F-66M0000000 -
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121BI2-010.0000T Microchip Technology DSC1121BI2-010.0000T -
RFQ
ECAD 6171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6111CI1B-016.0000T Microchip Technology DSC6111CI1B-016.0000T -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111CI1B-016.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6013JI2B-012.0000 Microchip Technology DSC6013JI2B-012.0000 -
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013JI2B-012.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VC-830-HDF-KAAN-250M0000000TR Microchip Technology VC-830-HDF-KAAN-250M0000000TR -
RFQ
ECAD 3043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 150-VC-830-HDF-KAAN-250M0000000TR 1
DSC1101DL5-040.0000T Microchip Technology DSC1101111DL5-040.0000T -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6001JA3B-020.0000T Microchip Technology DSC6001JA3B-020.0000T -
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - - - -
DSC1123AE2-180.0000 Microchip Technology DSC1123AE2-180.0000 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 180MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6001MI1A-037.1250T Microchip Technology DSC6001MI1A-037.1250T -
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.125 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101HL3B-027.0000 Microchip Technology DSC6101HL3B-027.0000 1.1400
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001BC1-024.0000T Microchip Technology DSC1001BC1-024.0000T -
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011ME2A-016.0000 Microchip Technology DSC6011ME2A-016.0000 1.2200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI1-020.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-020.0000 0.9100
RFQ
ECAD 6021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VT-704-EFE-106A-25M0000000 Microchip Technology VT-704-EFE-106A-25M0000000 -
RFQ
ECAD 9130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI5-019.2000 Microchip Technology DSC1001DI5-019.2000 2.4400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC8101CM2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8101cm2 프로그램 가능 16.0100
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4692 프로그램 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSA1003DI1-050.0000VAO Microchip Technology DSA1003DI1-050.0000VAO -
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1003 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1003DI1-050.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX575ABD25M0000-TR Microchip Technology MX575ABD25M0000-TR -
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575ABD25M0000 25MHz HCSL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX575ABD25M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
VXM7-1372-25M0000000 Microchip Technology VXM7-1372-25M0000000 -
RFQ
ECAD 5392 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 조각 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 100 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 20pf - ± 20ppm
FX-700-9002-A3-F7 Microchip Technology FX-700-9002-A3-F7 -
RFQ
ECAD 8601 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 150-FX-700-9002-A3-F7 쓸모없는 1
DSA6011JL2B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6011JL2B-025.0000TVAO -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6011 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011JL2B-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1101DL2-054.0000T Microchip Technology DSC1101111DL2-054.0000T -
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 54 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6011CI2A-018.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-018.0000 1.0700
RFQ
ECAD 374 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-820-EAC-KAAN-2M00000000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-2M00000000 -
RFQ
ECAD 8033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001AL1-025.0000T Microchip Technology DSC1001AL1-025.0000T -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001AL1-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-840-1039-25M0000000TR Microchip Technology VC-840-1039-25M0000000TR -
RFQ
ECAD 6893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-1039-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 13MA 결정 - - - 10µA
DSC1001DI2-033.3300 Microchip Technology DSC1001DI2-033.3300 0.9100
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고