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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수
VCC1-B3F-93M3330000TR Microchip Technology vcc1-b3f-93m3330000tr -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 93.333 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-93M3330000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1524MA2A-20M00000 Microchip Technology DSC1524MA2A-20M00000 -
RFQ
ECAD 4116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1524MA2A-20M00000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC6102MI2B-030.0000 Microchip Technology DSC6102MI2B-030.0000 -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102MI2B-030.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6102MI2B-008.0000 Microchip Technology DSC6102MI2B-008.0000 -
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102MI2B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001HI1B-024.0000 Microchip Technology DSC6001HI1B-024.0000 -
RFQ
ECAD 6970 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VXM7-1136-20M0000000TR Microchip Technology VXM7-1136-20M0000000TR -
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 20MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1136-20M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
VC-820-9012-20M0000000TR Microchip Technology VC-820-9012-20M0000000TR -
RFQ
ECAD 3442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-9012-20M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 - - - 10µA
VCC1A-B3F-44M7370000TR Microchip Technology vcc1a-b3f-44m7370000tr -
RFQ
ECAD 1833 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc1a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 44.737 MHz CMOS 3.3v 다운로드 150-vcc1a-b3f-44m7370000tr 1 활성화/비활성화 12MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
VCC1A-B3F-1M54500000TR Microchip Technology vcc1a-b3f-1m54500000tr -
RFQ
ECAD 2886 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc1a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.545 MHz CMOS 3.3v 다운로드 150-VCC1A-B3F-1M54500000tr 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
VCC4A-B3F-34M3680000TR Microchip Technology vcc4a-b3f-34m3680000tr -
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc4a 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 34.368 MHz CMOS 3.3v 다운로드 150-vcc4a-b3f-34m3680000tr 1 활성화/비활성화 8ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
M921223CI3-100M0000T Microchip Technology M921223CI3-100M0000T -
RFQ
ECAD 3698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CI3-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HTM6101JA1B-024.0000 Microchip Technology HTM6101JA1B-024.0000 -
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
HTM6101JA3B-100.0000T Microchip Technology HTM6101JA3B-100.0000T -
RFQ
ECAD 6687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA3B-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
M921223NI3-233M3333 Microchip Technology M921223NI3-233M3333 -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 233.3333 MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI3-233M3333 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
M911201NI2-20M48000T Microchip Technology M911201NI2-20M48000T -
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20.48 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911201NI2-20M48000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
M921223NI2-100M0000T Microchip Technology M921223NI2-100M0000T -
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
HTM6101MA3B-025.0000 Microchip Technology HTM6101MA3B-025.0000 -
RFQ
ECAD 4695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101MA3B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
HTM6101JA1B-024.0000T Microchip Technology HTM6101JA1B-024.0000T -
RFQ
ECAD 1136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
M921223CL1-100M0000T Microchip Technology M921223CL1-100M0000T -
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CL1-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
M911221CI2-25M00000T Microchip Technology M911221CI2-25M00000T -
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221CI2-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
M921223BI3-25M00000 Microchip Technology M921223BI3-25M00000 -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223BI3-25M00000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HTM6101JA1B-033.0000T Microchip Technology HTM6101JA1B-033.0000T -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-033.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
M921223BI3-25M00000T Microchip Technology M921223BI3-25M00000T -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223BI3-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
VC-830-HDE-GAAN-200M0000000TR Microchip Technology VC-830-HDE-GAAN-200M0000000TR -
RFQ
ECAD 7552 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 2.5V 다운로드 150-VC-830-HDE-GAAN-200M0000000TR 1 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 30ppm - - 30µA
DSC1524MI3A-33M33333 Microchip Technology DSC1524MI3A-33M33333 -
RFQ
ECAD 5884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.33333 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 7.8ma
DSC1522JL2A-25M00000 Microchip Technology DSC1522JL2A-25M00000 1.0200
RFQ
ECAD 6581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 140 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - 7.8ma
DSC6111BI2B-024.0000 Microchip Technology DSC6111BI2B-024.0000 0.9720
RFQ
ECAD 4618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI2B-024.0000 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6111HE1B-054.0000 Microchip Technology DSC6111HE1B-054.0000 1.0320
RFQ
ECAD 4137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 54 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111HE1B-054.0000 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111BI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6111BI2B-012.2880 0.9720
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI2B-012.2880 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6111BI2B-016.0000 Microchip Technology DSC6111BI2B-016.0000 0.9720
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI2B-016.0000 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고