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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 |
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![]() | vcc1-b3f-93m3330000tr | - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 93.333 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3F-93M3330000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||||
![]() | DSC1524MA2A-20M00000 | - | ![]() | 4116 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 20MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1524MA2A-20M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||
![]() | DSC6102MI2B-030.0000 | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 30MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102MI2B-030.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||
![]() | DSC6102MI2B-008.0000 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102MI2B-008.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||
![]() | DSC6001HI1B-024.0000 | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI1B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
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![]() | VC-820-9012-20M0000000TR | - | ![]() | 3442 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-9012-20M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 결정 | - | - | - | 10µA | ||||||
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![]() | vcc1a-b3f-1m54500000tr | - | ![]() | 2886 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vcc1a | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1.545 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 150-VCC1A-B3F-1M54500000tr | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 3MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | ||||||||
![]() | vcc4a-b3f-34m3680000tr | - | ![]() | 9618 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vcc4a | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 34.368 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 150-vcc4a-b3f-34m3680000tr | 1 | 활성화/비활성화 | 8ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | |||||||||
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![]() | HTM6101JA1B-024.0000 | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | htm61xx | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-HTM6101JA1B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 4MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | HTM6101JA3B-100.0000T | - | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | htm61xx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 100MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-HTM6101JA3B-100.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 4MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
![]() | M921223NI3-233M3333 | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9212X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 233.3333 MHz | LVD | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | 150-M921223NI3-233M3333 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
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![]() | M921223NI2-100M0000T | - | ![]() | 9317 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9212X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | 150-M921223NI2-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | HTM6101MA3B-025.0000 | - | ![]() | 4695 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | htm61xx | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-HTM6101MA3B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 4MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
![]() | HTM6101JA1B-024.0000T | - | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | htm61xx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-HTM6101JA1B-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 4MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | M921223CL1-100M0000T | - | ![]() | 2892 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9212X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | 150-M921223CL1-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | M911221CI2-25M00000T | - | ![]() | 6312 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9112X1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 150-M911221CI2-25M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||
![]() | M921223BI3-25M00000 | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9212X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 25MHz | LVD | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | 150-M921223BI3-25M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | HTM6101JA1B-033.0000T | - | ![]() | 1575 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | htm61xx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 33MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-HTM6101JA1B-033.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 4MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | M921223BI3-25M00000T | - | ![]() | 7927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | M9212X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 25MHz | LVD | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | 150-M921223BI3-25M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||
![]() | VC-830-HDE-GAAN-200M0000000TR | - | ![]() | 7552 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-830 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | 150-VC-830-HDE-GAAN-200M0000000TR | 1 | 활성화/비활성화 | 66MA | 결정 | ± 30ppm | - | - | 30µA | |||||||||
![]() | DSC1524MI3A-33M33333 | - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 33.33333 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 100 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 7.8ma | |||||||||
![]() | DSC1522JL2A-25M00000 | 1.0200 | ![]() | 6581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 2.5V, 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 140 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 7.8ma | |||||||||
![]() | DSC6111BI2B-024.0000 | 0.9720 | ![]() | 4618 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111BI2B-024.0000 | 72 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||
![]() | DSC6111HE1B-054.0000 | 1.0320 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 54 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111HE1B-054.0000 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||
![]() | DSC6111BI2B-012.2880 | 0.9720 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111BI2B-012.2880 | 72 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||
![]() | DSC6111BI2B-016.0000 | 0.9720 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111BI2B-016.0000 | 72 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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