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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1223NI1-106M2500T Microchip Technology DSC1223NI1-106M2500T -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-106M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VX-805-0024-25M0000000 Microchip Technology VX-805-0024-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 25MHz lvpecl 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-0024-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 90ma 결정 - - - -
DSA1103BL1-048.0000VAO Microchip Technology DSA1103BL1-048.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 48MHz LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1103BL1-048.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VT-704-EAE-1060-32M7680000 Microchip Technology VT-704-EAE-1060-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6001MI3B-026.0000T Microchip Technology DSC6001MI3B-026.0000T -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI3B-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6101JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6101JI1B-080.0000T -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI1B-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VC-806-HCE-KAAN-153M600000 Microchip Technology VC-806-HCE-KAAN-153M600000 -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VXC1-1EE-13-25M0000000TR Microchip Technology VXC1-1EE-13-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 30 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXC1-1EE-13-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 13pf ± 20ppm ± 20ppm
VC-708-ECW-SNXN-80M000000 Microchip Technology VC-708-ECW-SNXN-80M000000 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VV-800-EAE-SAAN-25M0000000 Microchip Technology VV-800-EAE-SAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-800 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VV-800-EAE-SAAN-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 20ppm ± 100ppm - -
HTM6111JA2B-040.0000T Microchip Technology HTM6111JA2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6111JA2B-040.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6083CI2A-120K000 Microchip Technology DSC6083CI2A-120K000 -
RFQ
 ECAD 4071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 120 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-B3D-75M0000000 Microchip Technology VCC1-B3D-75M0000000 -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1003DL2-148.5000T Microchip Technology DSC1003DL2-148.5000T -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 148.5 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 9.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DE5-049.1520T Microchip Technology DSC1001DE5-049.1520T -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 49.152 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DE5-049.1520TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1505ML3A-125M0000 Microchip Technology DSC1505ML3A-125M0000 -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 125MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505ML3A-125M0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
HT-MM900AE-4K-EE-8M00000000 Microchip Technology HT-MM900AE-4K-EE-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VTD3-J0BC-19M2000000 Microchip Technology VTD3-J0BC-19M2000000 -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-EDW-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-709-EDW-KAAN-100M000000 -
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-EDW-KAAN-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-B3F-12M1590000 Microchip Technology VCC1-B3F-12M1590000 -
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 150-VCC1-B3F-12MM1590000 쓸모없는 1
MX775EBA322M265-TR Microchip Technology MX775EBA322M265-TR -
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX775EBA322M265-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
HT-MM900AE-2K-EE-20M0000000 Microchip Technology HT-MM900AE-2K-EE-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 HT-MM900A 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AE-2K-EE-20M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
DSA6101ML3B-014.7456VAO Microchip Technology DSA6101ML3B-014.7456VAO -
RFQ
 ECAD 6894 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 14.7456 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML3B-014.7456VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VV-800-EAE-PAAN-77M7600000 Microchip Technology VV-800-EAE-PAAN-77M7600000 -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC6021CE1A-00CWT Microchip Technology DSC6021CE1A-00CWT -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 60MHz, 70MHz - - -
MO-9000AE-6K-EE-1M22880000 Microchip Technology MO-9000AE-6K-EE-1M2880000 -
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1122AI1-155.5200T Microchip Technology DSC1122AI1-155.5200T -
RFQ
 ECAD 7108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 155.52 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1122AI1-155.5200TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6083JE2A-032K000T Microchip Technology DSC6083JE2A-032K000T -
RFQ
 ECAD 2977 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121DM2-025.0000T Microchip Technology DSC1121DM2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1203CI3-133M3333T Microchip Technology DSC1203CI3-133M3333T -
RFQ
 ECAD 9420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1203 133.3333 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-133M3333T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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