전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC6101JA1B-020.0000T | - | ![]() | 6800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JA1B-020.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC6001MI1B-025.0000T | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001MI1B-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC6023MI2B-01TPT | - | ![]() | 1035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6023MI2B-01TPTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 24MHz, 48MHz | - | - | - | |||||||||||||
![]() | DSC1001AI3-050.0000T | - | ![]() | 7715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001AI3-050.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1203DL2-125M0000T | - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1203 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 125MHz | LVD | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203DL2-125M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | ||||||||||
![]() | VCC6-QCB-125M000000TR | - | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | lvpecl | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-QCB-125M000000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 98ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSA6101JA3B-451K667TVAO | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 451.667 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JA3B-451K667TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | VC-820-EAE-KAAN-18M4320000 | - | ![]() | 1877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 18.432 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-KAAN-18M4320000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
![]() | VCC1-B1C-24M5760000 | - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B1C-24M5760000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
![]() | VC-801-DAW-KABN-8M00000000TR | - | ![]() | 4320 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-801-DAW-KABN-8M0000TTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
![]() | VXB2-1B4-10M0000000TR | - | ![]() | 1138 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXB2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) | 0.173 "(4.40mm) | 표면 표면 | HC-49/US | MHZ 크리스탈 | 10MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXB2-1B4-10M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 18pf | ± 50ppm | ± 20ppm | ||||||||||||||
![]() | DSC6001HI2B-002.0800T | - | ![]() | 1850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 2.08 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI2B-002.0800TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | VXM9-9015-52M0859370TR | - | ![]() | 4003 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM9 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 80 옴 | - | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 52.085937 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM9-9015-52M0859370TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||||||
![]() | VCC1-B3F-14M7500000 | - | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 14.75 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||||||||||
![]() | DSC6013HI2B-024.0000T | - | ![]() | 5474 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013HI2B-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||||
![]() | DSC1103CI3-148.5000T | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 148.5 MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103CI3-148.5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
![]() | VXA4-1KJ-18-3M57954500 | - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXA4 | 조각 | 활동적인 | 150 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) | 0.138 "(3.50mm) | 구멍을 구멍을 | HC-49/US | MHZ 크리스탈 | 3.579545 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXA4-1KJ-18-3M57954500 | 귀 99 | 8541.60.0030 | 100 | 18pf | ± 50ppm | ± 10ppm | |||||||||||||||
![]() | DSC1525MI2A-33M33333T | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 33.33333 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1525MI2A-33MM333333333333333333333333333333 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1522JE2A-20M00000T | - | ![]() | 9065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 20MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1522JE2A-20M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | VC-820-EAE-KAAN-12M8000000 | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.8 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-KAAN-12M8000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
![]() | VXM5-1GE-18-25M0000000TR | - | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 30 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 25MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM5-1GE-18-25M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 18pf | ± 30ppm | ± 20ppm | ||||||||||||||
![]() | DSC1224BI2-100M0000T | - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1224 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224BI2-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||
![]() | VV-701-EAE-PEAB-40M9600000 | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VV-701 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.068 "(1.72mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 40.96 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VV-701-EAE-PEAB-40M9600000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 9MA | 결정 | ± 20ppm | ± 80ppm | - | - | |||||||||||
![]() | VC-820-EAE-KAAN-1M00000000 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-KAAN-1M000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 6MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
![]() | DSC1224BL2-100M0000T | - | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1224 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224BL2-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||
![]() | vxm8-1027-30m0000000tr | - | ![]() | 7296 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 50 옴 | - | - | 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 30MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-vxm8-1027-30m0000000tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||||||
![]() | VCC1-A1C-16M0000000 | - | ![]() | 6841 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-A1C-16M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
![]() | VXN1-1DE-32-44M5450000 | - | ![]() | 7647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxn1 | 조각 | 활동적인 | 80 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 44.545 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXN1-1DE-32-44M5450000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 32pf | ± 15ppm | ± 20ppm | |||||||||||||||
![]() | VC-801-DAW-KABN-12M0000000TR | - | ![]() | 7647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-801-DAW-KABN-12M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
![]() | DSC1201NE2-75M00000T | - | ![]() | 6767 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 75MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NE2-75M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
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