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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6101JA1B-020.0000T Microchip Technology DSC6101JA1B-020.0000T -
RFQ
ECAD 6800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA1B-020.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6001MI1B-025.0000T Microchip Technology DSC6001MI1B-025.0000T -
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI1B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6023MI2B-01TPT Microchip Technology DSC6023MI2B-01TPT -
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6023MI2B-01TPTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 24MHz, 48MHz - - -
DSC1001AI3-050.0000T Microchip Technology DSC1001AI3-050.0000T -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001AI3-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1203DL2-125M0000T Microchip Technology DSC1203DL2-125M0000T -
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DL2-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
VCC6-QCB-125M000000TR Microchip Technology VCC6-QCB-125M000000TR -
RFQ
ECAD 4481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-QCB-125M000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm - - -
DSA6101JA3B-451K667TVAO Microchip Technology DSA6101JA3B-451K667TVAO -
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 451.667 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-451K667TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VC-820-EAE-KAAN-18M4320000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-18M4320000 -
RFQ
ECAD 1877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-18M4320000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
VCC1-B1C-24M5760000 Microchip Technology VCC1-B1C-24M5760000 -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B1C-24M5760000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
VC-801-DAW-KABN-8M00000000TR Microchip Technology VC-801-DAW-KABN-8M00000000TR -
RFQ
ECAD 4320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-DAW-KABN-8M0000TTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VXB2-1B4-10M0000000TR Microchip Technology VXB2-1B4-10M0000000TR -
RFQ
ECAD 1138 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB2 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.173 "(4.40mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 10MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXB2-1B4-10M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 18pf ± 50ppm ± 20ppm
DSC6001HI2B-002.0800T Microchip Technology DSC6001HI2B-002.0800T -
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 2.08 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-002.0800TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VXM9-9015-52M0859370TR Microchip Technology VXM9-9015-52M0859370TR -
RFQ
ECAD 4003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM9 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 52.085937 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM9-9015-52M0859370TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
VCC1-B3F-14M7500000 Microchip Technology VCC1-B3F-14M7500000 -
RFQ
ECAD 2472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.75 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC6013HI2B-024.0000T Microchip Technology DSC6013HI2B-024.0000T -
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013HI2B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1103CI3-148.5000T Microchip Technology DSC1103CI3-148.5000T -
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CI3-148.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
VXA4-1KJ-18-3M57954500 Microchip Technology VXA4-1KJ-18-3M57954500 -
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXA4 조각 활동적인 150 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) 0.138 "(3.50mm) 구멍을 구멍을 HC-49/US MHZ 크리스탈 3.579545 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXA4-1KJ-18-3M57954500 귀 99 8541.60.0030 100 18pf ± 50ppm ± 10ppm
DSC1525MI2A-33M33333T Microchip Technology DSC1525MI2A-33M33333T -
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.33333 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1525MI2A-33MM333333333333333333333333333333 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1522JE2A-20M00000T Microchip Technology DSC1522JE2A-20M00000T -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 20MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JE2A-20M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
VC-820-EAE-KAAN-12M8000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-12M8000000 -
RFQ
ECAD 2666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.8 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-12M8000000 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
VXM5-1GE-18-25M0000000TR Microchip Technology VXM5-1GE-18-25M0000000TR -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM5 테이프 & tr (TR) 활동적인 30 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM5-1GE-18-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 18pf ± 30ppm ± 20ppm
DSC1224BI2-100M0000T Microchip Technology DSC1224BI2-100M0000T -
RFQ
ECAD 7329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224BI2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
VV-701-EAE-PEAB-40M9600000 Microchip Technology VV-701-EAE-PEAB-40M9600000 -
RFQ
ECAD 6255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-701 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 40.96 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VV-701-EAE-PEAB-40M9600000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 9MA 결정 ± 20ppm ± 80ppm - -
VC-820-EAE-KAAN-1M00000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-1M00000000 -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-1M000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSC1224BL2-100M0000T Microchip Technology DSC1224BL2-100M0000T -
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224BL2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
VXM8-1027-30M0000000TR Microchip Technology vxm8-1027-30m0000000tr -
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm8 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 옴 - - 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 30MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-vxm8-1027-30m0000000tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 - - ± 20ppm
VCC1-A1C-16M0000000 Microchip Technology VCC1-A1C-16M0000000 -
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-A1C-16M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
VXN1-1DE-32-44M5450000 Microchip Technology VXN1-1DE-32-44M5450000 -
RFQ
ECAD 7647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxn1 조각 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 44.545 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXN1-1DE-32-44M5450000 귀 99 8541.60.0060 100 32pf ± 15ppm ± 20ppm
VC-801-DAW-KABN-12M0000000TR Microchip Technology VC-801-DAW-KABN-12M0000000TR -
RFQ
ECAD 7647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-DAW-KABN-12M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1201NE2-75M00000T Microchip Technology DSC1201NE2-75M00000T -
RFQ
ECAD 6767 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 75MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE2-75M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고