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| DSC1121AI2-025.0006T | - | | 2759 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 25.0006 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||
| VX-805-0019-70M6560000 | - | | 5766 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VX-805 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 70.656 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VX-805-0019-70M6560000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 90ma | 결정 | - | - | - | - | |||||||||
| DSC612NI3A-01KVT | - | | 3555 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612NI3A-01KVTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 470kHz | 485kHz | - | - | |||||||||
| DSC1101AL2-156.2500 | - | | 8023 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1101 | 156.25 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101AL2-156.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||
| DSC1003BI1-008.0000 | - | | 8683 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 8 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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