전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VC-709-0015-131M072000 | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-709 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 131.072 MHz | - | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-709-0015-131M072000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||
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![]() | VCC6-1331-100M000000 | - | ![]() | 3147 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-1331-100M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | - | 결정 | - | - | - | - | |||||
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![]() | VCC1-1558-1M04857000_SNPB | - | ![]() | 1797 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1.04857 MHz | CMOS | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-1558-1M04857000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | - | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||
![]() | VC-840-1039-25M0000000 | - | ![]() | 4123 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-1039-25M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 13MA | 결정 | - | - | - | 10µA | ||||||
![]() | 090-02789-011 | - | ![]() | 2910 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | CSAC SA65 | 대부분 | 활동적인 | -10 ° C ~ 65 ° C | - | 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) | 0.460 "(11.68mm) | 구멍을 구멍을 | 12-DIP 9, 9 개의 리드 | 원자 | 10MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-090-02789-011 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | ± 0.3ppb | - | - | - | ||||||
![]() | DSC6053HE3B-016.0000 | - | ![]() | 5924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6053HE3B-016.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||
![]() | DSC6011MI2B-050.0000 | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011MI2B-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||
![]() | vcc6-vcp-100m0000000tr | - | ![]() | 4178 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.5V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-VCP-100M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 60ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | - | ||||||
![]() | VT-844-0001-14M7456000TR | - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-844 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | - | - | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | - | 14.7456 MHz | - | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-844-0001-14M7456000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | - | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||
![]() | VXM8-9014-12M0000000TR | - | ![]() | 5724 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 12MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM8-9014-12M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||
![]() | VC-840-EAE-FAAN-13M3000000TR | - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 13.3 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-EAE-FAAN-13M30000TTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | ||||||
![]() | VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VX-805 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 172.852 MHz | lvpecl | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 90ma | 결정 | ± 20ppm | ± 50ppm | - | - | ||||||
![]() | VC-711-EDW-KAAN-200M0000TTR | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-711 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-711-EDW-KAAN-200M0000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
![]() | VC-844-ED-FASN-156M250000TR | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-844 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-844-EDE-FASN-156M250000TR | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR | - | ![]() | 5151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 2.048 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | |||||
![]() | VT-860-FFE-507D-20M0000000TR | - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-860 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | vctcxo | 20MHz | 사인파를 사인파를 | 3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-860-FFE-507D-20M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 2.3ma | 결정 | ± 500ppb | ± 12ppm | - | - | |||||
![]() | DSC1201NE2-30M37000T | - | ![]() | 7512 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 30.37 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NE2-30M37000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||
![]() | VXM8-9014-12M0000000 | - | ![]() | 6280 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 조각 | 활동적인 | - | - | 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 12MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM8-9014-12M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0050 | 100 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||
![]() | DSC6003JI1B-012.0000T | - | ![]() | 7397 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003JI1B-012.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
![]() | DSC6101MA3B-032.0000T | - | ![]() | 3538 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 32 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101MA3B-032.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||
![]() | VXM1-1SE-8M00000000 | - | ![]() | 7929 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM1 | 조각 | 활동적인 | 100 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 8 MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM1-1SE-8M00000000 | 귀 99 | 8541.60.0050 | 100 | 8pf | ± 100ppm | ± 10ppm | |||||||||
![]() | VCC1-F3C-20M0000000_SNPB | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-F3C-20M0000000_SNPBTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | ||||||
![]() | DSC1001BI5-150.0000T | - | ![]() | 6330 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 150MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI5-150.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||
![]() | DSA6101JL2B-024.0000TVAO | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JL2B-024.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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