SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수
VC-709-0015-131M072000 Microchip Technology VC-709-0015-131M072000 -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 131.072 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0015-131M072000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VC-806-0009-250M000000 Microchip Technology VC-806-0009-250M000000 -
RFQ
ECAD 6164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 250MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0009-250M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VC-801-EAF-KAAN-12M0000000 Microchip Technology VC-801-AF-AF-KAAN-12M0000000 -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-AFE-KAAN-12M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-715-DFF-GFA-47M8500000 Microchip Technology VC-715-DFF-GFA-47M8500000 -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-715 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.200"W (7.50mm x 5.08mm) 0.084 "(2.13mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 47.85 MHz PECL 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-715-DFF-GFA-47M8500000TR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 65MA 결정 - ± 50ppm - -
VCC6-1331-100M000000 Microchip Technology VCC6-1331-100M000000 -
RFQ
ECAD 3147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-1331-100M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
VVA1-009-16M3840000 Microchip Technology VVA1-009-16M3840000 -
RFQ
ECAD 6292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VVA1 튜브 활동적인 - - 0.799 "L x 0.500"W (20.30mm x 12.70mm) 0.235 "(5.98mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) VCXO 16.384 MHz - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VVA1-009-16M3840000 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VC-709-0039-156M250000 Microchip Technology VC-709-0039-156M250000 -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0039-156M250000tr 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VT-703-0005-50M0000000 Microchip Technology VT-703-0005-50M0000000 -
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-703 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - - - - 50MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-VT-703-0005-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - 결정 - - - -
VCC1-1558-1M04857000_SNPB Microchip Technology VCC1-1558-1M04857000_SNPB -
RFQ
ECAD 1797 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.04857 MHz CMOS - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1558-1M04857000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 - - 결정 - - - -
VC-840-1039-25M0000000 Microchip Technology VC-840-1039-25M0000000 -
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-1039-25M0000000 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 13MA 결정 - - - 10µA
090-02789-011 Microchip Technology 090-02789-011 -
RFQ
ECAD 2910 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 CSAC SA65 대부분 활동적인 -10 ° C ~ 65 ° C - 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) 0.460 "(11.68mm) 구멍을 구멍을 12-DIP 9, 9 개의 리드 원자 10MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-090-02789-011 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 ± 0.3ppb - - -
DSC6053HE3B-016.0000 Microchip Technology DSC6053HE3B-016.0000 -
RFQ
ECAD 5924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HE3B-016.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6011MI2B-050.0000 Microchip Technology DSC6011MI2B-050.0000 -
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VCC6-VCP-100M0000000TR Microchip Technology vcc6-vcp-100m0000000tr -
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-VCP-100M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 100ppm - - -
VT-844-0001-14M7456000TR Microchip Technology VT-844-0001-14M7456000TR -
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-844 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - - 표면 표면 4-SMD,, 없음 - 14.7456 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-VT-844-0001-14M7456000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 - - 결정 - - - -
VXM8-9014-12M0000000TR Microchip Technology VXM8-9014-12M0000000TR -
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm8 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM8-9014-12M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
VC-840-EAE-FAAN-13M3000000TR Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-13M3000000TR -
RFQ
ECAD 8054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.3 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-13M30000TTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR Microchip Technology VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR -
RFQ
ECAD 9973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 172.852 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-ECE-KXXN-172M852000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 90ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
VC-711-EDW-KAAN-200M000000TR Microchip Technology VC-711-EDW-KAAN-200M0000TTR -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-EDW-KAAN-200M0000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
VC-844-EDE-FASN-156M250000TR Microchip Technology VC-844-ED-FASN-156M250000TR -
RFQ
ECAD 8230 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-844 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VC-844-EDE-FASN-156M250000TR 1,000
VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR Microchip Technology VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR -
RFQ
ECAD 5151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-FAAN-2M04800000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VT-860-FFE-507D-20M0000000TR Microchip Technology VT-860-FFE-507D-20M0000000TR -
RFQ
ECAD 5721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 20MHz 사인파를 사인파를 3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-FFE-507D-20M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.3ma 결정 ± 500ppb ± 12ppm - -
DSC1201NE2-30M37000T Microchip Technology DSC1201NE2-30M37000T -
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 30.37 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE2-30M37000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
VXM8-9014-12M0000000 Microchip Technology VXM8-9014-12M0000000 -
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm8 조각 활동적인 - - 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM8-9014-12M0000000 귀 99 8541.60.0050 100 - - ± 20ppm
DSC6003JI1B-012.0000T Microchip Technology DSC6003JI1B-012.0000T -
RFQ
ECAD 7397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI1B-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101MA3B-032.0000T Microchip Technology DSC6101MA3B-032.0000T -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MA3B-032.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VXM1-1SE-08-8M00000000 Microchip Technology VXM1-1SE-8M00000000 -
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 조각 활동적인 100 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 8 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM1-1SE-8M00000000 귀 99 8541.60.0050 100 8pf ± 100ppm ± 10ppm
VCC1-F3C-20M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-F3C-20M0000000_SNPB -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-F3C-20M0000000_SNPBTR 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1001BI5-150.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-150.0000T -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 150MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI5-150.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6101JL2B-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JL2B-024.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JL2B-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고