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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC6102MI3B-030.0000	-	RFQ	3697	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		30MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6102MI3B-030.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1502AI3A-8M000000T	-	RFQ	3541	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		8 MHz		LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1502AI3A-8M000000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	1.8µA (()
DSC1211NA3-C0024T	-	RFQ	9039	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)			6-vdfn	xo (표준)				CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1211NA3-C0024TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			27MA (타이핑)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 20ppm					-	-	-	-
CD-700-SYNCE-25M0000000	-	RFQ	9798	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는														다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50
DSC6011CE2A-045.1584	-	RFQ	7821	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		45.1584 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6013HE2B-048.0000	-	RFQ	5028	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		48MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6013HE2B-048.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
vxb1-1ke-16-5M00000000	-	RFQ	4672	마이크로 마이크로 기술	VXB1	조각	활동적인	80 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm)	0.126 "(3.20mm)	표면 표면	HC-49/US	MHZ 크리스탈		5 MHz	근본적인			다운로드			영향을받지 영향을받지	150-vxb1-1ke-16-5M00000000	귀 99	8541.60.0080	100			16pf				± 50ppm				± 20ppm
VCC6-LAF-125M000000	-	RFQ	1338	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6331MI2CA-008.0000T	-	RFQ	5486	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		8 MHz		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드				150-DSC6331MI2CA-008.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
DSC1124DL2-100.0000	-	RFQ	8629	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	100MHz		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			42MA		MEMS	-	± 25ppm	-	22MA
DSC1121AM2-016.0000	-	RFQ	2643	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1121	16MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VXM1-1GE-18-24M0000000	-	RFQ	3147	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	1,000
VXB1-1D2-25M0000000_SNPB	-	RFQ	4839	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	50
DSC6331JA2BB-025.0000T	-	RFQ	2548	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6331	25MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JA2BB-025.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
DSC103333DE1-018.4320T	-	RFQ	3092	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	18.432 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1121BI5-010.0000T	-	RFQ	6039	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	10MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6011HA1B-032K768T	-	RFQ	1731	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		32.768 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HA1B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA
DSC6011MI2B-008.0000	-	RFQ	2031	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		8 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-008.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
M921223BI3-87M35154T	-	RFQ	1757	마이크로 마이크로 기술	M9212X3	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		87.35154 MHz		LVD	2.5V, 3.3V	다운로드				150-M921223BI3-87M35154TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
vxm8-1ej-10-24m5760000tr	-	RFQ	5494	마이크로 마이크로 기술	vxm8	테이프 & tr (TR)	활동적인	60 옴	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		24.576 MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-vxm8-1ej-10-24m5760000tr	귀 99	8541.60.0060	3,000			10pf				± 20ppm				± 20ppm
MX575ANS200M000-TR	-	RFQ	9007	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ANS200M000	200MHz		LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			90ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001BL5-080.0000T	-	RFQ	8590	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	80MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001DE2-108.0000T	-	RFQ	6381	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	108 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6111HI1B-012.2880T	1.0440	RFQ	6816	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		12.288 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111HI1B-012.2880TTR			1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1122DI2-121.1090T	-	RFQ	3035	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		121.109 MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1122DI2-121.1090TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1123AI1-200.0000T	-	RFQ	9226	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	200MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			22MA		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6003MI2B-027.0000	-	RFQ	1142	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6003	27 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6003MI2B-027.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001JA3B-Prog	0.9250	RFQ	7564	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)		MEMS	-		-							2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC1224CL1-100M0000T	-	RFQ	3441	마이크로 마이크로 기술	DSC1224	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz		HCSL	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1224CL1-100M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			40ma (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSA6111JA2B-049.1520TVAO	-	RFQ	4311	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		49.152 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA6111JA2B-049.1520TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²