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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1122CI2-150.2500T Microchip Technology DSC1122CI2-150.2500T -
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 150.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
VT-501-DAG-106B-32M0000000 Microchip Technology VT-501-DAG-106B-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-501 조각 활동적인 -30 ° C ~ 80 ° C - 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) 0.087 "(2.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 32 MHz CMOS 5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-501-DAG-106B-32M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 진폭 진폭 24MA 결정 ± 1ppm ± 8ppm - -
VC-826-EDE-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-826-ede-kaan-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1121CA2-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA2-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA2-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6001JI2A-010.0000T Microchip Technology DSC6001JI2A-010.0000T -
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MX555ABA850M000 Microchip Technology MX555ABA850M000 -
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX555ABA850M000 850MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1033CI1-050.0000T Microchip Technology DSC1033CI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
VT-860-EFE-5070-38M4000000TR Microchip Technology VT-860-EFE-5070-38M40000TTR -
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-EFE-5070-38M4000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2.3ma 결정 ± 500ppb - - -
DSC1030BC1-027.0000C Microchip Technology DSC1030BC1-027.0000C -
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 27 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6331HE1FA-016.0000 Microchip Technology DSC6331HE1FA-016.0000 -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 80µA (타이핑)
VXB2-1KE-20-18M4320000 Microchip Technology VXB2-1KE-20-18M4320000 -
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSC6122JI2A-00AU Microchip Technology DSC6122JI2A-00AU -
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 50MHz, 100MHz - - -
DSC1001CL5-044.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-044.0000 -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 44 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6101HA3B-025.0000T Microchip Technology DSC6101HA3B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HA3B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VT-841-HFE-2560-40M0000000 Microchip Technology VT-841-HFE-2560-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 6675 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-HFE-2560-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 2.5ppm - - -
CD-700-EAE-SKNA-12M8000000 Microchip Technology CD-700-EAE-SKNA-12M8000000 -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
VC-820-JAE-FAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-820-JAE-FAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-G3D-66M6667000 Microchip Technology VCC1-G3D-66M6667000 -
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121BI2-148.5000T Microchip Technology DSC1121BI2-148.5000T -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 148.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC2033FI2-H0005T Microchip Technology DSC2033FI2-H0005T -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-H0005TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz 125MHz - -
DSC6011HI2A-050.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCE1-B3B-5M00000000 Microchip Technology VCE1-B3B-5M00000000 -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6183CI2A-010K000 Microchip Technology DSC6183CI2A-010K000 -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103CI1-027.0000T Microchip Technology DSC1103CI1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
DSC1001BI5-040.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-040.0000T -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6311JL1AB-028.6364TV01 Microchip Technology DSA6311JL1AB-028.6364TV01 -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6311 28.6364 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6311JL1AB-028.6364TV01TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6001HE1A-011.0592T Microchip Technology DSC6001HE1A-011.0592T -
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.0592 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121AI2-200.0000T Microchip Technology DSC1121AI2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 200MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1121AI2-200.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1102AI5-156.2500T Microchip Technology DSC1102AI5-156.2500T -
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS - ± 10ppm - 95µA
VCC1-B3B-20M0000000 Microchip Technology VCC1-B3B-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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