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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA6101JI2B-018.4320VAO Microchip Technology DSA6101JI2B-018.4320VAO -
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6101 18.432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JI2B-018.4320VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123CL3-250.0000 Microchip Technology DSC1123CL3-250.0000 -
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL3-250.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1201NE3-64M08000 Microchip Technology DSC1201NE3-64M08000 -
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 64.08 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE3-64M08000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6001HI2B-032.0000 Microchip Technology DSC6001HI2B-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-032.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-020.7500T Microchip Technology DSC1001CI2-020.7500T -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20.75 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI2-020.7500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6011MA3B-025.0000 Microchip Technology DSC6011MA3B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA3B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA
DSC6001JI3B-005K280 Microchip Technology DSC6001JI3B-005K280 -
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 5.28 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI3B-005K280 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1123DI1-322.2656T Microchip Technology DSC1123DI1-322.2656T -
RFQ
 ECAD 9085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 322.2656 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DI1-322.2656TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001DL5-028.6363T Microchip Technology DSC1001DL5-028.6363T -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.6363 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-028.6363TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1253BE1-156M2500T Microchip Technology DSC1253BE1-156M2500T -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1253 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1253BE1-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1103DE5-254.6500T Microchip Technology DSC1103DE5-254.6500T -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 254.65 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DE5-254.6500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1253BE1-156M2500 Microchip Technology DSC1253BE1-156M2500 -
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1253 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1253BE1-156M2500 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1224CI2-38M40000 Microchip Technology DSC1224CI2-38M40000 -
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1224 38.4 MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224CI2-38M40000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSA6101ML3B-025.0000VAO Microchip Technology DSA6101ML3B-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML3B-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1203BI2-100M0000T Microchip Technology DSC1203BI2-100M0000T -
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203BI2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1201NE3-20M97152 Microchip Technology DSC1201NE3-20M97152 -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20.97152 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE3-20M97152 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6111JI1B-028.1250T Microchip Technology DSC6111JI1B-028.1250T -
RFQ
 ECAD 1339 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 28.125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI1B-028.1250TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6101JI3B-038.4000 Microchip Technology DSC6101JI3B-038.4000 -
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 38.4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI3B-038.4000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA
DSA1001DI3-027.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI3-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 27 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI3-027.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA1101BL2-040.0000TVAO Microchip Technology DSA1101BL2-040.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101BL2-040.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC2033FI2-F0046T Microchip Technology DSC2033FI2-F0046T -
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-F0046TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 27MHz - - -
DSC1123CL3-093.4400T Microchip Technology DSC1123CL3-093.4400T -
RFQ
 ECAD 2347 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 93.44 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL3-093.4400TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6111HI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6111HI1B-080.0000T -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI1B-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6001JI2B-016.0000 Microchip Technology DSC6001JI2B-016.0000 -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-016.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1004CI5-025.0000T Microchip Technology DSC1004CI5-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CI5-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6001JI3B-259K200T Microchip Technology DSC6001JI3B-259K200T -
RFQ
 ECAD 6756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 259.2 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI3B-259K200TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1223BI2-66M66660T Microchip Technology DSC1223BI2-66M66660T -
RFQ
 ECAD 7151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 66.6666 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI2-66M66660TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSA1001DI1-012.5000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-012.5000VAO -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 12.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-012.5000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BL3-001.0000T Microchip Technology DSC1001001BL3-001.0000T -
RFQ
 ECAD 2125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 1MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001001001BL3-001.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6001JE2B-016.0000 Microchip Technology DSC6001JE2B-016.0000 -
RFQ
 ECAD 5730 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE2B-016.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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