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결정, 공진기, 발진기 (18804)
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| DSC1253BE1-156M2500 | - | | 7488 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1253 | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1253BE1-156M2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 23MA (유형) | ||||||
| DSC1224CI2-38M40000 | - | | 8557 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X4 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1224 | 38.4 MHz | HCSL | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224CI2-38M40000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) | ||||||
| DSA6101ML3B-025.0000VAO | - | | 2631 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML3B-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC1203BI2-100M0000T | - | | 4429 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203BI2-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||
| DSC1201NE3-20M97152 | - | | 2366 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 20.97152 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NE3-20M97152 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||
| DSC6111JI1B-028.1250T | - | | 1339 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6111 | 28.125 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111JI1B-028.1250TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||
 | DSC6101JI3B-038.4000 | - | | 3106 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 38.4 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI3B-038.4000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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