SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6001HA3B-PROGT Microchip Technology DSC6001HA3B-Progt 1.8600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 2 kHz ~ 80 MHz ± 20ppm
DSC6311JA1BB-019.2000T Microchip Technology DSC6311JA1BB-019.2000T -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JA1BB-019.2000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC1000CL5-PROGT Microchip Technology DSC1000CL5-Progt 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn - DSC1000 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
DSC1201CA3-20M00000 Microchip Technology DSC1201CA3-20M00000 -
RFQ
 ECAD 2407 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201CA3-20M00000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1101CI5-157.2864 Microchip Technology DSC1101CI5-157.2864 -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 157.2864 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CI5-157.2864 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
MX575ANN25M0000 Microchip Technology MX575ANN25M0000 -
RFQ
 ECAD 2621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575ANN25M0000 25MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX575ANN25M0000 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
VC-840-9002-49M1520000 Microchip Technology VC-840-9002-49M1520000 -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 조각 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VC-840 49.152 MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-9002-49M1520000 귀 99 8542.39.0001 100 - - 결정 - - - -
VXC1-1EE-13-25M0000000 Microchip Technology VXC1-1EE-13-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 조각 활동적인 30 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 VXC1-1 25MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VXC1-1EE-13-25M0000000 귀 99 8541.60.0060 100 13pf ± 20ppm ± 20ppm
MO-9100AE-6B-EE-25M0000000 Microchip Technology MO-9100AE-6B-EE-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MO-9100A 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 1 (무제한) 150-MO-9100AE-6B-EE-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 10ppm - - 31MA
VXB1-1B2-6M00000000 Microchip Technology VXB1-1B2-6M00000000 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.126 "(3.20mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 6MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXB1-1B2-6M000000TR 귀 99 8541.60.0050 1 20pf ± 50ppm ± 20ppm
VC-840-JAE-KAAN-126M488095TR Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-126M488095TR -
RFQ
 ECAD 6181 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 126.488095 MHz LVCMOS 1.8V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-JAE-KAAN-126M488095TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
VXB1-1KE-18-25M0000000 Microchip Technology VXB1-1KE-18-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 25 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.126 "(3.20mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXB1-1KE-18-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 18pf ± 50ppm ± 20ppm
VCC1-B3B-98M0000000TR Microchip Technology VCC1-B3B-98M0000000TR -
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3B-98M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-840-9004-114M285000 Microchip Technology VC-840-9004-114M285000 -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 114.285 MHz LVCMOS - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-9004-114M285000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 결정 - - - 10µA
VCC1-B3B-98M3040000 Microchip Technology VCC1-B3B-98M3040000 -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98.304 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3B-98M3040000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-840-EAE-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-840-EAE-KAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-KAAN-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 19ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
VC-840-9002-49M1520000TR Microchip Technology VC-840-9002-49M1520000TR -
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz LVCMOS - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-9002-49M1520000tr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - 결정 - - - 10µA
VXA4-100-10M2450000 Microchip Technology VXA4-100-10M2450000 -
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXA4 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 옴 - - 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) 0.138 "(3.50mm) 구멍을 구멍을 HC-49/u MHZ 크리스탈 10.245 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXA4-100-10M2450000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 시리즈 - ± 10ppm
VCC1-1574-16M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-1574-16M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS - - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1574-16M0000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 - 결정 - - - 30µA
VCC1-B3K-49M1520000 Microchip Technology VCC1-B3K-49M1520000 -
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3K-49M1520000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 32ppm - - 30µA
VCC1-B3F-25M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-B3F-25M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-25M0000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
VT-501-EAE-2560-10M0000000TR Microchip Technology VT-501-EAE-2560-10M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-501 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) 0.087 "(2.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 10MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-501-EAE-2560-10M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 15MA 결정 ± 2.5ppm - - -
VXM7-1SE-6-16M0000000 Microchip Technology VXM7-1SE-6-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 16MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1SE-6-16M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 50,000 6pf ± 100ppm ± 20ppm
090-02984-008 Microchip Technology 090-02984-008 -
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SA.45S CSAC 쟁반 활동적인 - - 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) 0.460 "(11.68mm) 구멍을 구멍을 12-DIP 9, 9 개의 리드 원자 CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-090-02984-008 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSA6111JL2B-027.0000V05 Microchip Technology DSA6111JL2B-027.0000V05 -
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6111JL2B-027.0000V05 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6011JA1B-040.0000T Microchip Technology DSC6011JA1B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JA1B-040.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1222DL3-156M2500T Microchip Technology DSC1222DL3-156M2500T -
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222DL3-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1001CI2-024.9600T Microchip Technology DSC1001CI2-024.9600T -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24.96 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI2-024.9600TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6011JI1B-024.0000T Microchip Technology DSC6011JI1B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1101AI1-025.0000T Microchip Technology DSC1101AI1-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AI1-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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