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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
MX554EBC180M000	-	RFQ	4338	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX554EBC180M000	180MHz		CMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX554EBC180M000	귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화			95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6101MI1B-050.0000T	-	RFQ	9720	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	50MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101MI1B-050.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1104BE2-027.0000T	-	RFQ	3121	마이크로 마이크로 기술	DSC1104	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1104	27 MHz		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1104BE2-027.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			42MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
MX555ABBB100M000-TR	-	RFQ	3302	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX555ABB100	100MHz		LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX555ABBBB100M000-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001CL3-025.0000	-	RFQ	6101	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	25MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CL3-025.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
MX574EBA80M0000-TR	-	RFQ	9266	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX574	80MHz		lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX574EBA80M0000-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6101JA3B-Progt	1.5300	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6101			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)	MEMS	-		-			3.5 kHz ~ 100MHz	± 20ppm
DSC6331JI2FB-025.0000	-	RFQ	1728	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6331	25MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI2FB-025.0000	귀 99	8542.39.0001	140	-			3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	-
DSC1100CL3-Progt	2.7200	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	-	DSC1100			-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		-	-	-		-				-
MX574JBB81M9200-TR	-	RFQ	9041	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX574JBB81M9200	81.92 MHz		LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX574JBB81M9200-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6011MI2B-004.0960T	-	RFQ	7453	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	1.096 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-004.0960TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001HI2B-018.4320	-	RFQ	2585	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001	18.432 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HI2B-018.4320	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1101AI2-066.6666	-	RFQ	8086	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1101	66.6666 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101AI2-066.6666	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6041HI2B-025.0000	-	RFQ	3035	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6041	25MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6041HI2B-025.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001HA3B-Progt	1.8600	RFQ	620	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)	MEMS	-		-			2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC6311JA1BB-019.2000T	-	RFQ	6669	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6311	19.2 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JA1BB-019.2000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
DSC1000CL5-Progt	2.4400	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC100	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	-	DSC1000			-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		-	-	-		-				-
DSC1201CA3-20M00000	-	RFQ	2407	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201	20MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201CA3-20M00000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1101CI5-157.2864	-	RFQ	8648	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	157.2864 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101CI5-157.2864	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
MX575ANN25M0000	-	RFQ	2621	마이크로 마이크로 기술	MX57	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX575ANN25M0000	25MHz		CMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX575ANN25M0000	귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화			95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
VC-840-9002-49M1520000	-	RFQ	9818	마이크로 마이크로 기술	VC-840	조각	활동적인		-	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	VC-840	49.152 MHz		CMOS	-	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-9002-49M1520000	귀 99	8542.39.0001	100	-			-	결정	-	-	-	-
VXC1-1EE-13-25M0000000	-	RFQ	1201	마이크로 마이크로 기술	-	조각	활동적인	30 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈	VXC1-1	25MHz	근본적인			다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VXC1-1EE-13-25M0000000	귀 99	8541.60.0060	100			13pf			± 20ppm				± 20ppm
MO-9100AE-6B-EE-25M0000000	-	RFQ	1039	마이크로 마이크로 기술	MO-9100A	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz		CMOS	3.3v	-		1 (무제한)		150-MO-9100AE-6B-EE-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화			33MA	결정	± 10ppm	-	-	31MA
VXB1-1B2-6M00000000	-	RFQ	7564	마이크로 마이크로 기술	VXB1	테이프 & tr (TR)	활동적인	80 옴	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm)	0.126 "(3.20mm)	표면 표면	HC-49/US	MHZ 크리스탈		6MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXB1-1B2-6M000000TR	귀 99	8541.60.0050	1			20pf			± 50ppm				± 20ppm
VC-840-JAE-KAAN-126M488095TR	-	RFQ	6181	마이크로 마이크로 기술	VC-840	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		126.488095 MHz		LVCMOS	1.8V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-JAE-KAAN-126M488095TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화			20MA	결정	± 50ppm	-	-	10µA
VXB1-1KE-18-25M0000000	-	RFQ	7690	마이크로 마이크로 기술	VXB1	테이프 & tr (TR)	활동적인	25 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm)	0.126 "(3.20mm)	표면 표면	HC-49/US	MHZ 크리스탈		25MHz	근본적인			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXB1-1KE-18-25M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	1,000			18pf			± 50ppm				± 20ppm
VCC1-B3B-98M0000000TR	-	RFQ	7479	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인		-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		98 MHz		CMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3B-98M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			50ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA
VC-840-9004-114M285000	-	RFQ	4354	마이크로 마이크로 기술	VC-840	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		114.285 MHz		LVCMOS	-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-9004-114M285000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	결정	-	-	-	10µA
VCC1-B3B-98M3040000	-	RFQ	8042	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인		-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		98.304 MHz		CMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3B-98M3040000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			50ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA
VC-840-EAE-KAAN-50M0000000	-	RFQ	5072	마이크로 마이크로 기술	VC-840	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz		LVCMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-EAE-KAAN-50M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			19ma	결정	± 50ppm	-	-	10µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²