SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1103AE2-148.5000T Microchip Technology DSC1103AE2-148.5000T -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103AE2-148.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1103CL2-233.3333 Microchip Technology DSC1103CL2-233.3333 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 233.3333 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
DSC400-3333Q0094KI1T Microchip Technology DSC400-3333Q0094KI1T -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 50MHz
DSC1121AM1-012.2880 Microchip Technology DSC1121AM1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 6475 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 12.288 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC400-0202Q0108KI2T Microchip Technology DSC400-0202Q0108KI2T -
RFQ
 ECAD 3266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 167.1875MHz 173.28125MHz - -
DSC1224DI3-100M0000 Microchip Technology DSC1224DI3-100M0000 -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224DI3-100M0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1103AI2-200.0000 Microchip Technology DSC1103AI2-200.0000 3.3120
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC613PI3A-0105B Microchip Technology DSC613PI3A-0105B -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 25MHz 12MHz 32.768kHz -
VC-801-EAE-FAAN-5M00000000 Microchip Technology VC-801-EAE-FAAN-5M00000000 -
RFQ
 ECAD 7337 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011CI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6011ci2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
VX-705-ECT-KXCN-155M520000 Microchip Technology VX-705-ACT-KXCN-155M520000 -
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1121AI1-041.5000T Microchip Technology DSC1121AI1-041.5000T -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 41.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI1-041.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1101DM5-160.0000T Microchip Technology DSC1101111DM5-160.0000T -
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 160MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1123CI5-150.0000T Microchip Technology DSC1123CI5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - -
DSA1001DL1-074.2500TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-074.2500TVAO -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 74.25 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA400-4444Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-444001KI2VAO -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSC1101DL1-150.0000T Microchip Technology DSC110111DL1-150.0000T -
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 150MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123CL5-125.0000 Microchip Technology DSC1123CL5-125.0000 -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL5-125.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
MX575ABB12M5000-TR Microchip Technology MX575ABB12M5000-TR -
RFQ
 ECAD 7150 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575ABB12M5000 12.5MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX575ABB12M5000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6111JI1B-008.0000T Microchip Technology DSC6111JI1B-008.0000T -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI1B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC1001AI5-125.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-125.0000T -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6111JL1B-037.1000TVAO Microchip Technology DSA6111JL1B-037.1000TVAO -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 37.1 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6111JL1B-037.1000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
VCC1-1558-1M04857000 Microchip Technology VCC1-1558-1M04857000 -
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.04857 MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1558-1M04857000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC2030FI2-B0020 Microchip Technology DSC2030FI2-B0020 -
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2030 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2030FI2-B0020 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz - - -
DSC1121AM1-014.7456 Microchip Technology DSC1121AM1-014.7456 -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 14.7456 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS - ± 50ppm - 22MA
MO-9000AE-6K-EE-2M04800000 Microchip Technology MO-9000AE-6K-EE-2M04800000 -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Mo-9000a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MO-9000AE-6K-EE-2M04800000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1203BI2-125M0000 Microchip Technology DSC1203BI2-125M0000 -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203BI2-125M0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1103AL5-150.0000 Microchip Technology DSC1103AL5-150.0000 -
RFQ
 ECAD 6145 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1103 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC1121BI2-156.2540 Microchip Technology DSC1121BI2-156.2540 -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 156.254 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC2022FI1-F0006 Microchip Technology DSC2022FI1-F0006 -
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2022 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2022 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 8MHz 8MHz - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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