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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1001AI1-024.5450T	-	RFQ	4716	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	24.545 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6011JI2B-008.0000	-	RFQ	4975	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		8 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-008.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
DSC1001AE2-008.0000	-	RFQ	4400	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	8 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC613RI3A-012W	-	RFQ	6065	마이크로 마이크로 기술	DSC613	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			6.5MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA		16MHz	16MHz	16MHz	-
DSC400-2222Q0104KE2	-	RFQ	3009	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					125MHz	100MHz	200MHz	156.25MHz
DSC103333CE2-048.0000T	-	RFQ	6738	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	48MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			4MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1121CM1-010.7000T	-	RFQ	4053	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	10.7 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CE2-026.0000	-	RFQ	9103	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	26 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
MX555ABA800M000	-	RFQ	2802	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555	800MHz		lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화			120ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6331JI1CB-025.0000T	-	RFQ	4759	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		25MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI1CB-025.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
VC-820-Jaw-Aian-20M0000000	-	RFQ	1420	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC8002BI1T	-	RFQ	6965	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8002			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		10MA		MEMS	± 50ppm		-	1 µA						1MHz ~ 150MHz	-
vxm9-9007-62m5000000tr	1.0900	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	VXM9	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈	VXM9-9007	62.5 MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	3,000			-				-				± 20ppm
VXM7-1KE-10-49M1520000	-	RFQ	9814	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	1,000
DSC6311CI2AA-024.0000	-	RFQ	3605	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		24 MHz		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6311CI2AA-024.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSA6101MA1B-033.3300VAO	-	RFQ	1398	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSA6101	33.33 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101MA1B-033.3300VAO	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1204NL1-100M0000	1.9920	RFQ	2771	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1204	100MHz		HCSL	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1204NL1-100M0000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			40ma (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	5µA
DSC6001JL2B-006.0053T	-	RFQ	6036	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	6.0053 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JL2B-006.0053TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1033CI1-012.8000T	-	RFQ	2597	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12.8 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSA6001HA2B-029.4912VAO	-	RFQ	6944	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		29.4912 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6001HA2B-029.4912VAO	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6301JI2AB-002.0000T	-	RFQ	1089	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6301	2 MHz		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6301JI2AB-002.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC6311JI1BA-030.0000T	-	RFQ	7038	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		30MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	-	-	-	80µA (타이핑)
DSC1522MA1A-25M00000T	-	RFQ	7480	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz		LVCMOS	2.5V, 3.3V	다운로드	Rohs3 준수						1,000	활성화/비활성화			7.5MA		MEMS	± 50ppm	-	-	7.8ma
DSC8101BI2 프로그램 가능	11.5500	RFQ	5686	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)				CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4684 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		35MA		MEMS	-		-	95 µA						10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
DSA1101BI1-145.2000VAO	-	RFQ	5295	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	145.2 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
MX575ABH50M0000	-	RFQ	3850	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ABH50M0000	50MHz		LVCMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화			95MA		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC2311KM2-R0050	-	RFQ	6744	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		24MHz	38.4MHz	-	-
DSC1103AE2-148.5000T	-	RFQ	5942	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		148.5 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103AE2-148.5000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1103CL2-233.3333	-	RFQ	1040	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	233.3333 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC400-3333Q0094KI1T	-	RFQ	3876	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					125MHz	100MHz	100MHz	50MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²