SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
DSC1103DI5-160.0000T Microchip Technology DSC1103DI5-160.0000T -
RFQ
 ECAD 2766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 160MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
VCC1-B3B-38M9340000 Microchip Technology VCC1-B3B-38M9340000 -
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1122BI2-074.2500T Microchip Technology DSC1122BI2-074.2500T -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 74.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
VCC1-B3D-90M0000000 Microchip Technology VCC1-B3D-90M0000000 -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6041HI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6041HI2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6041 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6041HI2B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101BL1-012.5000T Microchip Technology DSC1101BL1-012.5000T -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
MX573NBA622M080 Microchip Technology MX573NBA622M080 -
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573NBA622 622.08 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6101JI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6101JI2B-012.2880 -
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6101 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-012.2880 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101CE5-049.1520T Microchip Technology DSC1101CE5-049.1520T -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 49.152 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
MX575ANS500M000 Microchip Technology MX575ANS500M000 -
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ANS500M000 500MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1123NE2-125.0000T Microchip Technology DSC1123NE2-125.0000T -
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6112JI1B-050.0000T Microchip Technology DSC6112JI1B-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6112 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123CL1-100.0000T Microchip Technology DSC1123CL1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9995 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 50ppm - 22MA
VCC1-F3D-20M0000000 Microchip Technology VCC1-F3D-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6301HI2FB-012.0000T Microchip Technology DSC6301HI2FB-012.0000T -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HI2FB-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC1122DI2-156.2500 Microchip Technology DSC1122DI2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BI2-075.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-075.0000 -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 75MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103DI2-312.5000T Microchip Technology DSC1103DI2-312.5000T -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 312.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
DSC1001DI5-008.2000T Microchip Technology DSC1001DI5-008.2000T -
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
M921223NI3-200M0000 Microchip Technology M921223NI3-200M0000 -
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI3-200M0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1033CI2-037.1250 Microchip Technology DSC1033CI2-037.1250 -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 37.125 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001CI2-012.2880 Microchip Technology DSC1001CI2-012.2880 -
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC1-B3B-133M000000 Microchip Technology VCC1-B3B-133M000000 -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6053HE3B-008.0000 Microchip Technology DSC6053HE3B-008.0000 -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HE3B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
VMK4-1EE-12-32K7680000 Microchip Technology VMK4-1EE-12-32K7680000 3.0120
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VMK4 조각 활동적인 90 KOHMS -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.047"W (2.00mm x 1.20mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 khz 크리스탈 (크리스탈 포크) 32.768 kHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VMK4-1EE-12-32K7680000 귀 99 8541.60.0010 100 12.5pf - ± 20ppm
DSC1001AI2-032.0000T Microchip Technology DSC1001AI2-032.0000T 1.2900
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1003CL2-066.0000 Microchip Technology DSC1003CL2-066.0000 -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 66MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 25ppm - - -
DSA1001DL3-012.5000VAO Microchip Technology DSA1001DL3-012.5000VAO -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 12.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-012.5000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
VC-709-HDE-FAAN-125M000000 Microchip Technology VC-709-HDE-FAAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 14ma 결정 ± 25ppm - - -
DSC1124CI5-133.3300 Microchip Technology DSC1124CI5-133.3300 -
RFQ
 ECAD 1570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 133.33 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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