SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1124CI2-048.0000T Microchip Technology DSC1124CI2-048.0000T -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 48MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC8104DI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8104di5 프로그래밍 가능 11.7400
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8104 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4711 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 42MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC6331MI2DB-008.0000 Microchip Technology DSC6331MI2DB-008.0000 -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6331 8 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC1001DI2-030.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-030.0000 0.9100
RFQ
 ECAD 4656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXM7-9039-25M0000000TR Microchip Technology VXM7-9039-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-9039-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC1003AI1-081.3600T Microchip Technology DSC1003AI1-081.3600T -
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 81.36 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003AI1-081.3600TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CI2-025.0008T Microchip Technology DSC1001CI2-025.0008T -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25.0008 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DL5-005.0196 Microchip Technology DSC1001DL5-005.0196 -
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 5.0196 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1101DE2-024.5760 Microchip Technology DSC1101DE2-024.5760 -
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
DSC1001CI2-001.9512 Microchip Technology DSC1001CI2-001.9512 0.9200
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 1.9512 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001AE5-029.1621T Microchip Technology DSC1001AE5-029.1621T -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 29.1621 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
MX575ANS100M000 Microchip Technology MX575ANS100M000 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ANS100M000 100MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1033BI1-035.3280T Microchip Technology DSC1033BI1-035.3280T -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 35.328 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCC1-B3B-83M3330000 Microchip Technology VCC1-B3B-83M3330000 -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
M911221NA3-125M0000 Microchip Technology M911221NA3-125M0000 -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221NA3-125M0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6011HI1B-009.6000T Microchip Technology DSC6011HI1B-009.6000T -
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 9.6 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI1B-009.6000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123BE2-050.0000 Microchip Technology DSC1123BE2-050.0000 1.9300
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VC-708-EDE-FNXN-157M653800 Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-157M653800 -
RFQ
 ECAD 3116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 157.6538 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC6083HE2A-640K000T Microchip Technology DSC6083HE2A-640K000T -
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 640 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121AI2-120.0000 Microchip Technology DSC1121AI2-120.0000 -
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA6001JL2B-025.0000VAO Microchip Technology DSA6001JL2B-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JL2B-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122NI1-078.1250T Microchip Technology DSC1122NI1-078.1250T -
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 78.125 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CL1-032.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-032.0000T -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VXA4-1B0-22M1184000 Microchip Technology VXA4-1B0-22M1184000 -
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXA4 상자 활동적인 40 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) 0.138 "(3.50mm) 구멍을 구멍을 HC-49/US MHZ 크리스탈 22.1184 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXA4-1B0-22M1184000 귀 99 8541.60.0060 2,000 시리즈 ± 50ppm ± 10ppm
DSC1001CE2-032.0000 Microchip Technology DSC1001CE2-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 25ppm - - -
DSA6001JL2B-032.7680TVAO Microchip Technology DSA6001JL2B-032.7680TVAO -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JL2B-032.7680TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI1-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-048.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-709-121-125M000000 Microchip Technology VC-709-121-125M000000 -
RFQ
 ECAD 3003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1121BM5-016.0000 Microchip Technology DSC1121BM5-016.0000 -
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VT-860-JFH-507E-26M0000000 Microchip Technology VT-860-JFH-507E-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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