RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSC1101111DL5-013.5600	-	RFQ	4441	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	13.56 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1103CI2-300.0000T	-	RFQ	9496	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	300MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1123CL3-040.0000	-	RFQ	6493	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	40MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA		MEMS	-	-	-	22MA
DSC6331JI2AB-020.0000	-	RFQ	5623	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		20MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI2AB-020.0000	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1123BI1-150.0000	-	RFQ	8768	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	150MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DL5-015.3600T	-	RFQ	2852	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	15.36 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
MX554ENU840M000-TR	-	RFQ	4750	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX554ENU840M000	840MHz	HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX554ENU840M000-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	95MA		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1121AM1-026.0000T	-	RFQ	3960	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		26 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1121AM1-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1121DE3-150.3330	-	RFQ	5685	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	150.333 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA		MEMS	-	± 20ppm	-	22MA
VCC1-B2D-40M0000000	-	RFQ	5233	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CI1-064.0000T	-	RFQ	9354	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	64 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA		MEMS	-	± 50ppm	-	15µA
DSC6003CI2A-016.0000T	-	RFQ	1136	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.25MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6111JI1B-026.0000T	0.8640	RFQ	2994	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JI1B-026.0000TTR			1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6083JI2A-032K786	-	RFQ	4114	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	140	-	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121CE2-066.6600T	-	RFQ	3865	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	66.66 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VXM7-1M2-25M0000000	-	RFQ	3506	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	3,000
DSA6101JL3B-027.00000000TVAO	-	RFQ	3221	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6101	27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101JL3B-027.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1123CI2-432.0000	3.2000	RFQ	7928	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	432 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCC6-QCD-125M000000	-	RFQ	7805	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001BL5-001.1385T	-	RFQ	1174	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	1.1385 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1221DI1-25M00000	-	RFQ	5213	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		25MHz	CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DI1-25M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	27MA (타이핑)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001DL2-027.0000T	1.2900	RFQ	8061	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6331JI3CB-018.4320	-	RFQ	7845	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		18.432 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI3CB-018.4320	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
MX555ABBB550M0000-TR	-	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABB50	50MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1223NE1-125M0000T	-	RFQ	2983	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223NE1-125M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSA1104DL2-156.2500VAO	-	RFQ	1189	마이크로 마이크로 기술	DSA1104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	HCSL	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1104DL2-156.2500VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	42MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC2033FL1-F0022	-	RFQ	3340	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)			LVD	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2033FL1-F0022	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	38MA (유형)	0.037 "(0.95mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	-	-	-
DSC1121BM2-120.0000	-	RFQ	5841	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	120MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6311JI1HA-028.6364	-	RFQ	4312	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		28.6364 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)		MEMS	-	-	-	80µA (타이핑)
VCC1-B3F-14M3180000	-	RFQ	4607	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²