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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSC1124CE2-100.0000	-	RFQ	5528	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	42MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1124CI5-133.0000	-	RFQ	2268	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	133 MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	42MA		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC6003JI2A-020.0000	-	RFQ	3418	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6011CI1A-025.0000T	-	RFQ	4582	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6011HI1A-006.7800	-	RFQ	6028	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		6.78 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6111HI2A-012.0000	-	RFQ	5111	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6001CE2A-025.0000T	-	RFQ	6890	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001CI1A-008.0000T	-	RFQ	2264	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	-
DSC6053CE2A-003.0720T	1.0500	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		3.072 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6101JI2A-024.8060T	1.0800	RFQ	994	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24.806 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6122CI2A-00B2T	0.8800	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				24MHz, 48MHz	-	-	-
DSC1001CI2-133.0000T	1.4200	RFQ	8480	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	133 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	16.6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6001HE2A-014.7456T	1.2500	RFQ	990	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.7456 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001HE2A-018.4320T	1.2500	RFQ	415	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		18.432 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6121HI2A-00AET	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				20MHz, 25MHz	-	-	-
DSC6301CI2CA-036.0000T	1.2500	RFQ	939	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		36 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6331JI2LA-026.0000T	-	RFQ	8422	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-3.00%,, 스프레드	80µA (타이핑)
DSC6013JE2A-025.0000	-	RFQ	4220	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001CI1A-011.2896	1.0300	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		11.2896 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	-
DSC6021CI2A-009V	0.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	110	-	1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				74.1758MHz, 74.25MHz	-	-	-
DSC1001DL1-037.1250	1.2500	RFQ	675	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	37.125 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	16.6MA		MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	15µA
DSC6331JI2AA-026.0000	1.2200	RFQ	167	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	80µA (타이핑)
DSC6331JI2GA-026.0000	-	RFQ	9863	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-0.25%, 하향 확산	80µA (타이핑)
DSC6331JI2LA-027.0000	-	RFQ	5735	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-3.00%,, 스프레드	80µA (타이핑)
DSC1001CL5-100.0000	3.0500	RFQ	9687	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	16.6MA		MEMS	± 10ppm	± 10ppm	-	15µA
DSC1101111DL5-050.0000	2.8900	RFQ	7517	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	95µA		MEMS	± 10ppm	± 10ppm	-	-
DSC1001BE5-022.5792T	-	RFQ	7879	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1001	22.5792 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001DL2-072.0000	-	RFQ	5327	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	72 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	16.6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1030BC0-050.0000	-	RFQ	7990	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		50MHz	CMOS	3V	-		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	4MA (유형)		MEMS	-	-	-	15µA
DSC1030BC0-050.0000T	-	RFQ	8832	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		50MHz	CMOS	3V	-		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	4MA (유형)		MEMS	-	-	-	15µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²