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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
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![]() | DSC1033BI1-025.0000 | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||||||
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![]() | DSC6011HA2B-008.0000T | - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HA2B-008.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA | ||||||||
![]() | DSC6011MI2B-025.0000T | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | - | - | |||||||
![]() | DSC11011-050.0000 | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101111-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||||||||
![]() | DSA1123CL2-026.0000TVAO | - | ![]() | 8234 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | 그래서 (톱) | 26 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1123CL2-026.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||||||||
![]() | DSC1003AI1-050.0000 | - | ![]() | 9737 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 50MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 7.4ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC1018BE1-050.0000 | - | ![]() | 2118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1018 | 50MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 4MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | |||||||
![]() | DSC1101BI3-013.5600T | - | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 13.56 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101BI3-013.5600T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | MX573BBA312M500-TR | - | ![]() | 5245 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX573BBA312 | 312.5 MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSC1001BI3-012.7281T | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 12.7281 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI3-012.7281TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||
![]() | DSC1122CI2-156.2500T | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1122 | 156.25 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 58ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC1103DI5-032.0000 | - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1103 | 32 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||||||||
![]() | DSC2011FM1-E0002T | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2011 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2011 | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz | 25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz | - | - | ||||||||
![]() | DSC400-1111Q0084KI2T | - | ![]() | 2980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 33.33333MHz | 50MHz | 125MHz | 100MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고