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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1033BI1-025.0000 Microchip Technology DSC1033BI1-025.0000 -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCC6-QAD-100M000000 Microchip Technology VCC6-QAD-100M000000 -
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001CL2-026.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-026.0000 -
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-026.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001CI2A-060.0000T Microchip Technology DSC6001CI2A-060.0000T -
RFQ
ECAD 6714 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DL2-024.0000T Microchip Technology DSC1101111DL2-024.0000T -
RFQ
ECAD 8510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001CI3-013.5000T Microchip Technology DSC1001CI3-013.5000T -
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 13.5 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI3-013.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1122CI5-047.9980T Microchip Technology DSC1122CI5-047.9980T -
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 47.998 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001CI1-024.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-024.0000T 1.4000
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC4-B3D-95M0000000 Microchip Technology VCC4-B3D-95M0000000 -
RFQ
ECAD 5102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 95MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-B3D-95M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1103DI2-148.5000 Microchip Technology DSC1103DI2-148.5000 2.4400
RFQ
ECAD 2962 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC400-4134Q0028KE1T Microchip Technology DSC400-4134Q0028KE1T -
RFQ
ECAD 4289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 100MHz 125MHz 25MHz 100MHz
VT-841-FFH-507A-16M3680000 Microchip Technology VT-841-FFH-507A-16M3680000 -
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VT-820-FFH-507E-26M0000000 Microchip Technology VT-820-FFH-507E-26M0000000 -
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-120-50M0000000 Microchip Technology VC-709-120-50M0000000 -
RFQ
ECAD 9176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvpecl 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-120-50M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 42MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1001DI1-020.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-020.0000 1.1400
RFQ
ECAD 900 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DI1-008.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-008.0000TVAO -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-008.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DI1-036.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-036.0000 -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI1-036.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011HA2B-008.0000T Microchip Technology DSC6011HA2B-008.0000T -
RFQ
ECAD 9099 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA2B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6011MI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-025.0000T -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1101DL1-050.0000 Microchip Technology DSC11011-050.0000 -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1123CL2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1123CL2-026.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) 26 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CL2-026.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1003AI1-050.0000 Microchip Technology DSC1003AI1-050.0000 -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1003 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.4ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1018BE1-050.0000 Microchip Technology DSC1018BE1-050.0000 -
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1018 50MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1101BI3-013.5600T Microchip Technology DSC1101BI3-013.5600T -
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 13.56 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101BI3-013.5600T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
MX573BBA312M500-TR Microchip Technology MX573BBA312M500-TR -
RFQ
ECAD 5245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573BBA312 312.5 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001BI3-012.7281T Microchip Technology DSC1001BI3-012.7281T -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.7281 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI3-012.7281TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1122CI2-156.2500T Microchip Technology DSC1122CI2-156.2500T 3.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1103DI5-032.0000 Microchip Technology DSC1103DI5-032.0000 -
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 32 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC2011FM1-E0002T Microchip Technology DSC2011FM1-E0002T -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2011 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz 25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz - -
DSC400-1111Q0084KI2T Microchip Technology DSC400-1111Q0084KI2T -
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 33.33333MHz 50MHz 125MHz 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고