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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1033CE1-002.0800	-	RFQ	4005	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	2.08 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001CL2-060.0000T	-	RFQ	8156	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	60MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC2033FI2-F0031	-	RFQ	7695	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz	10MHz	-	-
DSC400-0111Q0116KI2T	-	RFQ	5099	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				12.288MHz	14.7456MHz	11.2896MHz	-
DSC400-2222Q0105KE1	-	RFQ	3564	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				200MHz	156.25MHz	125MHz	100MHz
dsc8001ai2 프로그램 가능	9.4900	RFQ	3016	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4655 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	12.2MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
dsc6013ci1a 프로그램 가능	-	RFQ	2643	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1102CL1-100.0000T	-	RFQ	8383	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102	100MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		58ma		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC8123CL1	-	RFQ	9881	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8123		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	22MA		MEMS	± 50ppm		-						10MHz ~ 460 MHz	-
DSC2031FI2-F0023T	-	RFQ	5829	마이크로 마이크로 기술	DSC2031	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)			LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2031FI2-F0023TTR	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		49ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	125MHz	-	-	-
DSC103333CE2-025.0000T	-	RFQ	4116	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	25MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10MA		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSA2311KI2-R0064VAO	-	RFQ	3342	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KI2-R0064VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				12.288MHz	24.999724MHz	-	-
DSC1101CL2-024.7500	1.1040	RFQ	5644	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	24.75 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001DI2-064.0000T	-	RFQ	8959	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	64 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6023MI1A-005M	-	RFQ	6307	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	-		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm				8MHz, 25MHz	-	-	-
DSC1033CI1-044.0000T	-	RFQ	8745	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	44 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		4MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VTD3-J1CA-10M0000000	-	RFQ	4407	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1003CL2-020.0000T	-	RFQ	7444	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	20MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6001HE1A-020.9715T	1.2000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20.9715 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	-
DSC1101CE1-024.5760T	-	RFQ	8304	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	24.576 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	-	± 50ppm	-	95µA
DSC2133FI2-E0027T	-	RFQ	4888	마이크로 마이크로 기술	DSC2133	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)			LVD	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2133FI2-E0027TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	156.25MHz	148.5MHz	125MHz	74.25MHz
DSC8001CL5	2.8200	RFQ	189	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4665	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
DSC1001CI5-125.0000T	-	RFQ	1958	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8.7ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC8101DI5T	-	RFQ	4648	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8101		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	± 10ppm		-							-
DSC1211DE1-C0023	-	RFQ	3336	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)			CMOS	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1211DE1-C0023	귀 99	8542.39.0001	140	-		27MA (타이핑)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				-	-	-	-
DSC1001CI5-004.0000T	-	RFQ	4060	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	4 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC2010FI2-B0009T	-	RFQ	6238	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	45.1584MHz, 49.152MHz	-	-	-
DSC2311KL1-R0002	-	RFQ	3281	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	25MHz	125MHz	-	-
DSC400-3111Q0088KE1	-	RFQ	2365	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				148.25MHz	12MHz, 24MHz	25MHz, 100MHz	148.25MHz
MO-9000AE-4E-EE-59M4976700	-	RFQ	3754	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	MO-9000	59.49767 MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-MO-9000AE-4E-EE-59M4976700TR	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화		4.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²