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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSA6001JL2B-032K768TVAO	-	RFQ	3675	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		327.68 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6001JL2B-032K768TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6331JI2AB-020.0000	-	RFQ	5623	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		20MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI2AB-020.0000	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1001DL5-015.3600T	-	RFQ	2852	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	15.36 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1123BI1-150.0000	-	RFQ	8768	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	150MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1123CL3-040.0000	-	RFQ	6493	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	40MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA		MEMS	-	-	-	22MA
DSC6111MI2A-100.0000	-	RFQ	2681	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1101111DL5-013.5600	-	RFQ	4441	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	13.56 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC2010FI1-A0023T	-	RFQ	5510	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	4.096MHz, 11.2896MHz	-	-	-
DSC6001JA2B-025.0000T	-	RFQ	9497	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JA2B-025.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
MX555ABC100M000	-	RFQ	9880	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX555ABC100M000	귀 99	8542.39.0001	60
DSC1001AI5-016.3840T	-	RFQ	3014	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	16.384 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1004CI1-016.0000T	-	RFQ	7548	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	16MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1004CI1-016.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.5MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DI2-045.1584T	-	RFQ	4936	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	45.1584 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.9ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1001DI3-024.00000000TVAO	-	RFQ	7352	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	24 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DI3-024.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1203CI2-148M5000T	-	RFQ	2824	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		148.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1203CI2-148M5000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC1001AE1-131.0720T	-	RFQ	5156	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	131.072 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DI5-005.0196T	-	RFQ	8852	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	5.0196 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
MX554ENU840M000-TR	-	RFQ	4750	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)	MX554ENU840M000	840MHz	HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX554ENU840M000-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	95MA		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1101AI5-080.0000T	-	RFQ	4349	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101	80MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6013JI1B-063.2200T	-	RFQ	9266	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		63.22 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6013JI1B-063.2200TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1123BL2-200.0000	-	RFQ	6348	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	200MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6183CI2A-030K000T	-	RFQ	4678	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		30 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DC1-100.0000	-	RFQ	1242	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8.7ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VCC1-B3D-83M3000000	-	RFQ	6081	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121CM2-027.0000	-	RFQ	5561	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	27 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001CL5-150.0000	-	RFQ	3822	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	150MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	12.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VXB1-1D2-7M37280000	-	RFQ	7295	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
VCC1-B3A-65M5360000	-	RFQ	6606	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		65.536 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-vcc1-b3a-65m5360000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	30ma		결정	± 100ppm	-	-	30µA
DSC1123CI2-333.3333	3.2000	RFQ	2463	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	333.3333 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1103NI2-400.0000	-	RFQ	5343	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	400MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²