SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1001CL1-016.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-016.0000T -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - -
VXM9-1FE-08-26M0000000TR Microchip Technology VXM9-1FE-08-26M0000000TR -
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM9 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 26 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-vxm9-1fe-08-26m0000000tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 8pf ± 25ppm ± 20ppm
VV-701-EAE-SNAB-49M1520000 Microchip Technology VV-701-EAE-SNAB-49M1520000 -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1200BL3-PROGT Microchip Technology DSC1200BL3-Progt 2.0280
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1200 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1200 - 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1200BL3-Progttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS - - 2.5 MHz ~ 450 MHz ± 20ppm
VC-801-JA7-KAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-801-JA7-KAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 7963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-A3C-1M84320000 Microchip Technology VCC1-A3C-1M84320000 -
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-A3C-1M84320000tr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1033CI1-002.0480 Microchip Technology DSC1033CI1-002.0480 -
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1123BE2-085.0000 Microchip Technology DSC1123BE2-085.0000 -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 85MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123BE2-085.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BI2-040.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-040.0000 0.9600
RFQ
 ECAD 8000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BI2-020.0016T Microchip Technology DSC1001BI2-020.0016T -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20.0016 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1104DL2-156.2500TVAO Microchip Technology DSA1104DL2-156.2500TVAO -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1104DL2-156.2500TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1124NE1-100.0000 Microchip Technology DSC1124NE1-100.0000 1.9750
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6311ML2DB-016.6700T Microchip Technology DSC6311ML2DB-016.6700T -
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6311 16.67 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311ML2DB-016.6700TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC1103CI2-050.0000T Microchip Technology DSC1103CI2-050.0000T 2.0500
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1001DI2-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-050.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-050.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1025BC2-133.0000T Microchip Technology DSC1025BC2-133.0000T -
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1025 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1025 133 MHz CMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6003JI2B-048.0000 Microchip Technology DSC6003JI2B-048.0000 -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-048.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6331JI1CB-018.4320T Microchip Technology DSC6331JI1CB-018.4320T -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 18.432 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI1CB-018.4320TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1001DL5-080.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-080.0000T -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1102NI1-156.2500 Microchip Technology DSC1102NI1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1102NI1-156.2500 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001CI5-050.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-050.0000 2.1300
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC2010FM2-A0001 Microchip Technology DSC2010FM2-A0001 -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 24MHz, 27MHz, 74.25MHz, 148.5MHz - - -
DSC1004DI2-027.0000T Microchip Technology DSC1004DI2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6111JL2B-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6111JL2B-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5170 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6111 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6111JL2B-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001BI2-037.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-037.0000T -
RFQ
 ECAD 4974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 37 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103NI2-125.0000 Microchip Technology DSC1103NI2-125.0000 2.9700
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX775ABD156M250 Microchip Technology MX775ABD156M250 -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX775ABD156M250 귀 99 8542.39.0001 43
DSC1122AI2-150.0000T Microchip Technology DSC1122AI2-150.0000T 2.5320
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 150MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1033DI1-004.0000T Microchip Technology DSC103333DI1-004.0000T -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1030BE2-027.1200 Microchip Technology DSC1030BE2-027.1200 -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 27.12 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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